1.

国際会議録
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1. Role of Bulk HfO2 and Interfacial SiO2 Layer in Breakdown Characteristics of TiN/HfO2/SiO2/Si Gate Stacks
N. Rahim ; N. Chowdhury ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.629-638,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
2.

国際会議録
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2. Modeling and Simulation of Drain Current 1/f Noise in High-κ Based n-MOSFETs
P. Srinivasan ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 5.  pp.645-655,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(4)
3.

国際会議録
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3. Electrical Characterization of Metal Gate/High-κ Dielectrics on GaAs Substrate
V. Budhraja ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 6.  pp.455-461,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(5)
4.

国際会議録
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4. Breakdown Characteristics of High-k Gate Dielectrics with Metal Gates
D. Misra ; N. Chowdhury ; G. Bersuker ; C. Young ; R. Choi
出版情報: ULSI process integration 5.  pp.143-160,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(6)
5.

国際会議録
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5. Evidence of Deep Energy States from Low Temperature Measurements and Its Role in Charge Trapping in Metal Gate/Hf-Silicate Gate Stacks
N. A. Chowdhury ; P. Srinivasan ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.767-776,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
6.

国際会議録
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6. Effect of Nitridatien on 1/f Noise in n-MOSFETs with High-k Dielectric
P. Srinivasan ; E. Simoen ; L. Pantisano ; C. L. Claeys ; D. Misra ; C. Rittersma
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.681-692,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
7.

国際会議録
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7. Annealing Effect on Reliability of Si0₂ for Deuterium-Implanted Silicon
T. Kundu ; D. Misra
出版情報: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-5.  pp.221-232,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(1)
8.

国際会議録
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8. Field Dependent Carrier Transport Mechanisms in Metal-insulator-metal Devices with Ba0.8Sr0.2TiO3/ZrO2 Heterostructured Thin Films as the Dielectric
Santosh K. Sahoo ; H. Bakhru ; Sumit Kumar ; D. Misra ; Colin A. Wolden
出版情報: Solution synthesis of inorganic functional materials - films, nanoparticles and nanocomposites : symposium held April 1-5, 2013, San Francisco, California U.S.A..  pp.53-60,  2013.  Warrendale, Pa.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1547
9.

国際会議録
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9. Relaxor Behavior in Ba0.8Sr0.2TiO3/ZrO2 Heterostructured Thin Films
Santosh K. Sahoo ; H. Bakhru ; Sumit Kumar ; D. Misra ; Y.N. Mohapatra ; D.C. Agrawal
出版情報: Nanocomposites, nanostructures and heterostructures of correlated oxide systems : symposium held April 9-13, 2012, San Francisco, California, U.S.A..  pp.89-96,  2012.  Warrendale, PA.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1454
10.

国際会議録
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10. Breakdown Characteristics of High-k Gate Dielectrics with Metal Gates
N. Rahim ; D. Misra
出版情報: Dielectrics for nanosystems 3: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.91-97,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(2)
11.

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11. NBTI Effects in pMOSFETS with TiN/Hf-Silicate Based Gate Stacks
N. A. Chowdhury ; D. Misra
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.215-224,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
12.

国際会議録
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12. Charge Trapping in High-k Gate Dielectrics: A Recent Understanding
D. Misra ; N. Chowdhury
出版情報: Dielectrics for nanosystems II: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.311-328,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(1)
13.

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13. High-k Gate Stack Engineering and Low Frequency Noise Performance
C. Claeys ; E. Simoen ; P. Srinivasan ; D. Misra
出版情報: Dielectrics for nanosystems II: materials science, processing, reliability, and manufacturing.  pp.287-300,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(1)
14.

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14. Effect of Nitridation on Ge/HfO₂ Interface
R. Garg ; D. Misra ; S. Guha
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.17-26,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
15.

国際会議録
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15. Dielectric Properties of BST/(Y₂O₃)x(ZrO₂)₁₋x/BST Trilayer Films
Santosh K. Sahoo ; D. Misra
出版情報: Oxide nanoelectronics : symposium held November 29-December 3, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.9-14,  2011.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 1292
16.

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16. 1/f Noise as a Tool to Assess Fermi Level Pinning (EF) at the HfO₂/poly-Si Interface in High-k n-MOSFETs
P. Srinivasan ; E. Simoen ; L. Pantisano ; C. Claeys ; D. Misra
出版情報: Silicon materials science and technology X.  pp.503-514,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 2(2)
17.

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17. Si-SiO2 Interface Behavior in n-MOSFETs with Reverse Biased Voltage During High Field and Hot Electron Injection
P. Srinivasan ; B. Vootukuru ; D. Misra
出版情報: Interfaces in electronic materials : proceedings of the international symposium.  pp.305-315,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-31