1.

国際会議録
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1. ALKOXIDE DOPING OF GaAs DURING ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE EPITAXY
Park, Y. ; Skowronski, M. ; Rosseel, T.M.
出版情報: Chemical perspectives of microelectric materials III : symposium held November 30-December 3, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.75-80,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 282
2.

国際会議録
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2. Atomic Structure of Deep Level Defects in Dimethylaluminum Methoxide-Doped GaAs
Park, Y. ; Skowronski, M.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices : symposium held April 17-21, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.159-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 378
3.

国際会議録
国際会議録
3. High-Resolution X-ray Diffraction Analysis of GaN-Based Heterostructures Grown by OMVPE
Goorsky, M. S. ; Polyakov, A. Y. ; Skowronski, M. ; Shin, M. ; Greve, D. W.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.489-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
4.

国際会議録
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4. OXYGEN DOPING OF GaAs DURING OMVPE CONTROLLED INTRODUCTION OF IMPURITY COMPLEXES
Park, Y. ; Skowronski, M. ; Rosseel, T. S. ; Manasreh, M. O.
出版情報: Physics and applications of defects in advanced semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.293-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 325
5.

国際会議録
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5. INFLUENCE OF GROWTH TEMPERATURE ON ORDERING IN InGaAs GROWN ON (001) InP USING TERTIARYBUTYLARSINE SOURCE MOCVD
McFadden, R. S. ; Skowronski, M. ; Mahajan, S.
出版情報: Growth, processing, and characterization of semiconductor heterostructures : Symposium held November 29-December 2, 1993, Massachusetts, U.S.A..  pp.287-,  1994.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 326
6.

国際会議録
国際会議録
6. Dynamics of Surface Segregation During InGaAs MBE
Evans, Keith R. ; Kaspi, R. ; Ehret, J. E. ; Skowronski, M.
出版情報: Strained layer epitaxy - materials processing and device applications : symposium held April 17-19, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.505-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 379
7.

国際会議録
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7. Growth of AlBN Solid Solution by OMVPE
Shin, M. ; Polyakov, A. Y. ; Qian, W. ; Skowronski, M. ; Greve, D. W. ; Wilson, R. G.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.141-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
8.

国際会議録
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8. Studies of Electrically and Recombination Active Centers in Undoped GaN Grown by OMVPE
Polyakov, A. Y. ; Govorkov, A. V. ; Smirnov, N. B. ; Shin, M. ; Skowronski, M. ; Greve, D. W.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.591-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
9.

国際会議録
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9. Scanning-Tunneling-Microscopy Observation of Surface Reconstruction of GaN on Sapphire and 6H-SiC
Smith, A. R. ; Ramachandran, V. ; Feenstra, R. M. ; Greve, D. W. ; Neugebauer, J. ; Northrup, J. E. ; Shin, M. ; Skowronski, M.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.363-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
10.

国際会議録
国際会議録
10. The Structural Evolution of Lely Seeds During the Initial Stages of SiC Sublimation Growth
Heydemann, V. D. ; Sanchez, E. K. ; Rohrer, G. S. ; Skowronski, M.
出版情報: Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.295-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 483
11.

国際会議録
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11. ICP Dry Etching of III-V Nitrides
Vartuli, C. B. ; Lee, J. W. ; MacKenzie, J. D. ; Donovan, S. M. ; Abernathy, C. R. ; Pearton, S. J. ; Shul, R. J. ; Constantine, C. ; Barratt, C. ; Katz, A. ; Poyakov, A. Y. ; Shin, M. ; Skowronski, M.
出版情報: Gallium nitride and related materials II : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.393-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 468
12.

国際会議録
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12. HRTEM Characterization of 6H-15R Polytype Boundaries in Silicon Carbide Grown by Physical Vapor Transport
Sanchez, E. K. ; Graef, M. de ; Qian, W. ; Skowronski, M.
出版情報: Defects in electronic materials II : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.655-,  1997.  Pittsburgh, Penn.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 442
13.

国際会議録
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13. Factors Influencing the Electrical and Optical Properties of AlGaN Layers on Sapphire
Shin, M. ; Polyakov, A. Y. ; Skowronski, M. ; Greve, D. W. ; Wilson, R. G. ; Freitas, J. A.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.643-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
14.

国際会議録
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14. The Influence of Hydrogen Plasma Passivation on Electrical and Optical Properties of AlGaN Samples Grown on Sapphire
Polyakov, A. Y. ; Shin, M. ; Pearton, S. J. ; Skowronski, M. ; Greve, D. W. ; Freitas, J. A.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.607-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
15.

国際会議録
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15. BAND EDGE OPTICAL ABSORPTION OF MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GaSb GROWN ON SEMI-INSULATING GaAs SUBSTRATE
Shah, M. ; Manasreh, M. O. ; Kaspi, R. ; Yen, M. Y. ; Philips, B. A. ; Skowronski, M. ; Shinar, J.
出版情報: Physics and applications of defects in advanced semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.449-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 325
16.

国際会議録
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16. A Microscopic Evaluation of the Surface Structure of OMVPE Deposited α-GaN Epilayers
Rohrer, G. S. ; Payne, J. ; Qian, W. ; Skowronski, M. ; Doverspike, K. ; Rowland, L. B. ; Gaskill, D. K.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.381-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
17.

国際会議録
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17. Electrical and Optical Investigation of the Position of Vanadium Related Defects in the 4H and 6H SiC Bandgaps
Jenny, J. R. ; Skowronski, M. ; Mitchel, W. C. ; Smith, S. R. ; Evwaraye, A. O. ; Hobgood, H. M. ; Augustine, G. ; Hopkins, R. H.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.507-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423