1.

国際会議録
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1. SUBSTRATE AND PARTICLE DEPENDENT DEEP LEVEL GENERATION IN SILICON BY MeV PARTICLE BEAMS
Trauwaert, M.-A. ; Vanhellemont, J. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Johlander, B. ; Harboe-Sorensen, R. ; Adams, L. ; Clauws, P.
出版情報: Beam-solid interactions : fundamentals and applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.93-98,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 279
2.

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2. Degradation and recovery of alpha ray irradiated MOSFETs on SIMOX
Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Kawamura, K. ; Hakata, T. ; Sunaga, H. ; Ogita, Y.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.289-294,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
3.

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3. ON THE ELECTRICAL ACTIVITY OF OXYGEN-RELATED EXTENDED DEFECTS IN SILICON
Vanhellemont, J. ; Simoen, E. ; Bosman, G. ; Claeys, C. ; Kaniava, A. ; Gaubas, E. ; Blondeel, A. ; Clauws, P.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.670-683,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10
4.

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4. Freeze-out Effects on the Characteristics of Deep Submicron Si MOSFETs in the 77 to 300 K Range
Croon, J. ; Biesemans, S. ; Kubicek, S. ; Simoen, E. ; De Meyer, K. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.187-198,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
5.

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5. Impact Ionization Related Phenomena in Si MOSFETs Operated at Cryogenic Temperatures
Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.117-139,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
6.

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6. Impact of the Generation Width on the Lifetime Extraction in Cz Siliconp-n Junction Diodes
Czerwinski, A. ; Simoen, E. ; Poyai, A. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Defects in Silicon.  pp.88-99,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-1
7.

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7. Simple Method to Extract the length Dependent Mobility Degradation Factor at 77 K
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.159-170,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
8.

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8. Investigation of crystal defects in as-grown and processed silicon wafers and heteroepitaxial layers by infrared light scattering tomography
Kissinger, G. ; Vanhellemont, J. ; Graef, D. ; Zulehner, W. ; Claeys, C. ; Richter, H.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.156-164,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
9.

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9. Stimulated buried dielectric phase formation for nanoelectronics aims
Litovchenko, V.G. ; Romanyuk, B.N. ; Efremov, A.A. ; Mel'nik, V.P. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.81-85,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
10.

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10. PL study of oxygen related defects in silicon
Libezny, M. ; Kaniava, A. ; Kissinger, G. ; Nijs, J. ; Claeys, C. ; Vanhellemont, J.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.165-172,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
11.

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11. Thermal Oxygen Donors with an Anomalous Small Electron Capture Cross Section
Neimash, V.B. ; Siratskii, V.M. ; Kraichinskii, A.M. ; Puzenko, O.O. ; Claeys, C. ; Simoen, E.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.200-210,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
12.

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12. OPTIMISED DIODE ASSESSMENT OF THE SURFACE AND BULK GENERATION/RECOMBINATION PROPERTIES OF SILICON SUBSTRATE
Simoen, E. ; Poyai, A. ; Claeys, C. ; Czerwinski, A. ; Katcki, J.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1576-1592,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
13.

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13. A SEMI-QUANTITATIVE METHOD FOR STUDYING PHOTORESIST STRIPPING
Rotondaro, A.L.P. ; Meuris, M. ; Schmidt, H.F. ; Heyns, M.M. ; Vandervorst, W. ; Claeys, C. ; Hellemans, L. ; Snauvaert, I.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing.  pp.581-586,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-7
14.

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14. Interface defects of the new type detected by the noise method in SOI and SOS MOSFETs
Lukyanchikova, N. ; Petrichuk, M. ; Garbar, N. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.203-214,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
15.

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15. Optimisation of Cryogenic CMOS Technology and Design for Deep Cryogenic Analog Circuits
Dierickx, B. ; Simoen, E. ; Vermeiren, J. ; Cos, S. ; Claeys, C. ; Declerck, G.
出版情報: Proceedings of the ESA Electronic Components Conference, held at the Conference Centre, ESTEC, Noordwijk, the Netherlands, 12-16 November 1990.  pp.43-48,  1991.  Paris.  ESA Publications Division
シリーズ名: ESA SP
シリーズ巻号: 313
16.

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16. Is There a Future for Cryogenic SQl (Invited)
Claeys, C. ; Simoen, E.
出版情報: Proceedings of the Ninth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.36-50,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-3
17.

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17. Monitoring of Neutron Transmutation Doped Silicon Recombination Properties by Microwave Absorption Transient Techniques
Gaubas, E. ; Vanhellemont, J. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Clauws, P. ; Kraner, H.W. ; Vilkelis, G.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.439-449,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
18.

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18. P-N Junction Diagnostics of the Electrical Epi-Layer Quality: A Feasibility Study
Simoen, E. ; Poyai, A. ; Claeys, C. ; Czerwinski, A.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium on High Purity Silicon V.  pp.410-421,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-13
19.

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19. Optimised diode analysis of electrical silicon substrate properties
Czerwinski, A. ; Tomaszewski, D. ; Gibki, J. ; Bakowski, A. ; Klima, K. ; Katcki, J. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.218-227,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
20.

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20. Proton irradiation induced lattice defects in Si diodes and their effects on device performance
Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Vanhellemont, J. ; Takami, Y. ; Hayama, T. ; Sunaga, H. ; Kobayashi, K.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Crystalline Defects and Contamination, their Impact and Control in Device Manufacturing II.  pp.143-152,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-22
21.

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21. Radiation Source Dependence of Degradation in MOSFETS on SIMOX Substrate
Hakata, T. ; Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Kawamura, K. ; Miyahara, K. ; Hososhima, M.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.387-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
22.

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22. Radiation Damage of InGaAs Photodiodes by High-Energy Particles
Kudou, T. ; Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Shigaki, K. ; Fujii, A. ; Sunaga, H.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.471-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
23.

国際会議録
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23. Degradation and Recovery of Si Diodes by 20-MeV Protons and 220-MeV Carbon Particles
Hakata, T. ; Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Sunaga, H. ; Kobayashi, K. ; Hososhima, M.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.435-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
24.

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24. Radiation Damage in Si Avalanche Photodiodes by 1-MeV Fast Neutrons and 220-MeV Carbon Particles
Ohyama, H. ; Hakata, T. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Hayama, K. ; Tokuyama, J. ; Shigaki, K. ; Kobayashi, K. ; Sunaga, H. ; Miyahara, K. ; Hososhima, M.
出版情報: Semiconductors for room-temperature radiation detector applications II : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.429-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 487
25.

国際会議録
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25. Outplating of Metallic Contaminants on Silicon Wafers from Diluted Acid Solutions
Rotondaro, A. L. P. ; Hurd, T. Q. ; Schmidt, H. F. ; Teerlinck, I. ; Heyns, M. M. ; Claeys, C.
出版情報: Ultraclean semiconductor processing technology and surface chemical cleaning and passivation : Symposum held April 17-19, 1995, San Francisco, California, USA.  pp.183-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 386
26.

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26. Impact of the Ge Content on the Radiation Hardness of Heterojunction Diodes in SiGe Strained Layers
Ohyama, H. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Takami, Y. ; Hayama, K. ; Hakata, T. ; Tokuyama, J. ; Kobayashi, K. ; Sunaga, H. ; Poortmans, J. ; Caymax, M.
出版情報: Epitaxy and applications of si-based heterostructures : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.99-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 533
27.

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27. The impact of Fe and Cu on the minority carrier lifetime of p and n-type silicon wafers
Simoen, E. ; Heyns, M.M. ; Claeys, C. ; Brown, G.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.54-63,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
28.

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28. The Impact of Processing-Induced Defects on the Electrical Characteristics and the Degradation of Si n+p Junctions
Simoen, E. ; Vanhellemont, J. ; Kaniava, A. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on the Degradation of Electronic Devices due to Device Operation as well as Crystalline and Process-Induced Defects.  pp.72-81,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-1
29.

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29. The potential and restrictions of the double derivative method for threshold voltage extraction in SOI MOSFET's
Simoen, E. ; Vandamme, E. ; Rotondaro, A.L.P. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.318-323,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-11
30.

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30. Mrad(Si) irradiation effects in Gate-All-Around Silicon-On-Insulator n-MOSFET's
Simoen, E. ; Magnusson, U. ; Born, I. ; Vlummens, J. ; Claeys, C. ; Coenen, S. ; Decreton, M.
出版情報: Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.375-380,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-11
31.

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31. The use of body ties in cryogenic SOI CMOS
Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.290-295,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-11
32.

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国際会議録
32. On the Recombination Activity of Oxygen Precipitation Related Lattice Defects in Silicon
Vanhellemont, J. ; Kaniava, A. ; Libezny, M. ; Simoen, E. ; Kissinger, G. ; Gaubas, E. ; Claeys, C. ; Clauws, P.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices : symposium held April 17-21, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.35-,  1995.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 378
33.

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33. Hot-Carrier Damage Effects on the Parameters of Random-Telegraph Signals in Small-Area MOSFETs
Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: The physics and chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] interface-3, 1996 : proceedings of the Third International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO[2] and the Si-SiO[2] Interface.  pp.477-484,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-1
34.

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34. Theoretical and Experimental Study of the Front and Back Interface Trap Density in Accumulation-Mode SOI MOSFETs
Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.271-277,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
35.

国際会議録
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35. Substrate Current Characteristics of Partially Depleted SOI n-MOSFETs from Room Temperature down to Liquid Helium Temperatures
Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.251-259,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
36.

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36. Lattice Defects in High Resistivity Silicon
Claeys, C. ; Simoen, E. ; Vanhellemont, J.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.305-324,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13
37.

国際会議録
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37. DEVELOPMENT OF ADVANCED CORROSION FREE ORGANIC STRIPPERS FOR ULSI PROCESSING
Rotondaro, A.L.P. ; Honda, K. ; Maw, T. ; Perry, D. ; Lux, M. ; Heyns, M.M. ; Claeys, C. ; Darakchiev, I.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing.  pp.537-543,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-20