1.

国際会議録
国際会議録
1. *PRECIPITATE AND DEFECT FORMATION IN OXYGEN IMPLANTED SILICON-ON-INSULATOR MATERIAL
Krause, S. J. ; Jung, C. O. ; Ravi, T. S. ; Wilson, S. R. ; Burke, D. E.
出版情報: Silicon-on-insulator and buried metals in semiconductors : symposium held November 30-December 3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.93-104,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 107
2.

国際会議録
国際会議録
2. ISOTHERMAL ANNEALING OF ION IMPLANTED SILICON WITH A GRAPHITE RADIATION SOUCE
Wilson, S. R. ; Gregory, R. B. ; Paulson, W. M. ; Handi, A. H. ; McDaniel, F. D.
出版情報: Laser-solid interactions and transient thermal processing of materials : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.369-374,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 13
3.

国際会議録
国際会議録
3. GRAIN GROWTH PROCESSES DURING TRANSIENT ANNEALING OF As-IMPLANTED, POLYCRYSTALLINE-SILICON FILMS
Krause, S. J. ; Wilson, S. R. ; Paulson, W. M. ; Gregory, R. B.
出版情報: Energy beam-solid interactions and transient thermal processing/1984 : symposium held November 26-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.721-726,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 35
4.

国際会議録
国際会議録
4. DISPLACEMENT OF ARSENIC FROM SUBSTITUTIONAL SITES IN SILICON BY MeV He+ IRRADIATION
Varker, C. J. ; Wilson, S. R. ; Chan, S. S. ; Whitfield, J. D. ; Krause, S. J
出版情報: Ion beam processes in advanced electronic materials and device technology : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.123-136,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 45
5.

国際会議録
国際会議録
5. TRANSIENT ANNEALING OF BORON IMPLANTED DEVICES
Wilson, S. R. ; Paulson, W. M. ; Varker, C. J. ; Lowe, A. ; Gregory, R. B. ; Reuss, R. H. ; Wu, S. Y. ; Whitfield, J. D.
出版情報: Energy beam-solid interactions and transient thermal processing : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.279-284,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 23
6.

国際会議録
国際会議録
6. CHARACTERIZATION OF N-TYPE LAYERS FORMED IN Si BY ION IMPLANTATION OF HYDROGEN
Wilson, S. R. ; Paulson, W. M. ; Krolikowski, W. F. ; Fathy, D. ; Gressett, J. D. ; Hamdi, A. H. ; McDaniel, F. D.
出版情報: Ion implantation and ion beam processing of materials : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.287-292,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 27
7.

国際会議録
国際会議録
7. A COMPARISON OF ELLIPSOMETER AND RBS ANALYSIS OF IMPLANT DAMAGE IN SILICON
Paulson, W. M. ; Wilson, S. R. ; White, C. W. ; Appleton, B. R.
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.523-528,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
8.

国際会議録
国際会議録
8. *DOPANT INCORPORATION DURING RAPID SOLIDIFICATION
White, C. W. ; Zehner, D. M. ; Narayan, J. ; Holland,. O, W., ; Appleton, B. R. ; Wilson, S. R.
出版情報: Laser-solid interactions and transient thermal processing of materials : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.287-296,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 13