1.

国際会議録
国際会議録
1. Thermal activation energies for the three inequivalent lattice sites for the BSi acceptor in 6H-SiC
Evwaraye,A.O. ; Smith,S.R. ; Mitchel,W.C. ; Hobgood,H.McD. ; Augustine,G. ; Balakrishna,V.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.691-696,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
2.

国際会議録
国際会議録
2. GaN doped with sulphur
Saxier,A. ; Kung,P. ; Zhang,X. ; Walker,D. ; Soiomon,J. ; Ahoujja,M. ; Mitchel,W.C. ; Vydyanath,H.R. ; Razeghi,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1161-1166,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electroluminescence of 111-nitride double heterostructure light emitting diodes with silicon and magnesium doped InGaN
Saxler,A. ; Kim,K.S. ; Walker,D. ; Kung,P. ; Zhang,X. ; Brown,G.J. ; Mitchel,W.C. ; Razeghi,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1229-1234,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263
4.

国際会議録
国際会議録
4. GaN grown using trimethylgallium and triethylgallium
Saxler,A. ; Kung,P. ; Zhang,X. ; Walker,D. ; Solomon,J. ; Mitchel,W.C. ; Razeghi,M.
出版情報: Defects in semiconductors, icds-19 : proceedings of the 19th International Conference on Defects in Semiconductors, Aveiro, Portugal, July 1997.  Part2  pp.1081-1086,  1997.  Zurich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 258-263