1.

国際会議録
国際会議録
1. GROWTH OF 300mm SILICON SINGLE CRYSTALS IN A 24' HOT ZONE
Tu, H. ; Daj, X. ; Wu, Z. ; Zhang, G. ; Wang, J. ; Fang, F. ; Zhou, Q. ; Xiao, Q.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.182-188,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2
2.

国際会議録
国際会議録
2. GROWTH OF 300mm SILICON SINGLE CRYSTALSIN A 24' HOT ZONE
Tu, H. ; Daj, X. ; Wu, Z. ; Zhang, G. ; Wang, J. ; Fang, F. ; Zhou, Q. ; Xiao, Q.
出版情報: Semiconductor silicon 2002 : proceedings of the ninth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.182-188,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-2