1.

国際会議録
国際会議録
1. Nucleation and Growth of Gallium Nitride Films on Si and Sapphire Substrates Using Buffer Layers
Perkins, N. R. ; Horton, M. N. ; Zhi, D. ; Matyi, R. J. ; Bandic, Z. Z. ; McGill, T. C. ; Kuech, T. F.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.287-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
2.

国際会議録
国際会議録
2. Optimization of Reactor Geometry and Growth Conditions for GaN Halide Vapor Phase Epitaxy
Safvi, S. A. ; Perkins, N. R. ; Horton, M. N. ; Thon, A. ; Zhi, D. ; Kuech, T. F.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.227-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
3.

国際会議録
国際会議録
3. High Resolution X-ray Diffraction Analysis of Gallium Nitride Grown on Sapphire by Halide Vapor Phase Epitaxy
Matyi, R. J. ; Zhi, D. ; Perkins, N. R. ; Horton, M. N. ; Kuech, T. F.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.239-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423