1.

国際会議録
国際会議録
1. Extraction of Polarization-Induced Charge Density in Modulation-Doped AlxGa1-xN/GaN Heterostructures Based on Schottky C-V Simulation
Zhou, Y.G. ; Shen, B. ; Yu, H.Q. ; Liu, J. ; Zhou, H.M. ; Zhang, R. ; Shi, Y. ; Zheng, Y.D. ; Someya, T. ; Arakawa, Y.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.749-754,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
2.

国際会議録
国際会議録
2. High-Frequency Capacitance-Voltage Characteristics of PECVD-Grown SiO2 MIS Structure on GaN and GaN/Al0.4Ga0.6N/GaN Heterostructure
Chen, P. ; Zhou, Y.G. ; Bu, H.M. ; Li, W.P. ; Chen, Z.Z. ; Shen, B. ; Zhang, R. ; Zheng, Y.D.
出版情報: GaN and related alloys - 2000 : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 639
3.

国際会議録
国際会議録
3. Fabrication Of Enhancement-Mode GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor
Chen, P. ; Zhang, R. ; Zhou, Y.G. ; Xie, S.Y. ; Luo, Z.Y. ; Chen, Z.Z. ; Li, W.P. ; Gu, S.L. ; Zheng, Y.D.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T2.9-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622