1.

国際会議録
国際会議録
1. High Performance ALD Reactor for High-κ Films
J. Dalton ; H.Y. Kim ; Z. Zhang ; T. Seidel ; Z. Karim
出版情報: Atomic layer deposition applications 2.  pp.27-36,  2007.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(15)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Advanced Metal Gate Electrode Options Compatible with ALD and AVD HfSiO x-Based Gate Dielectrics
Z. Karim ; O. Biossiere ; C. Lohe ; Z. Zhang ; C. Manke ; P. Lehnen ; P. K. Baumann ; J. Dalton ; W. Park ; S. Ramanathan ; J. Lindner ; F. Seidel and
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.363-374,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Characterization of Charge Storage in ALD Nanolarainates
T. E. Seidel ; A. Srivastava ; Z. Zhang ; T. Dimitrova ; A. R. Londergan ; Z. Karim
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.107-116,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)