1.

国際会議録
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1. ELTRAN(R); SOI-Epi WaferTM by Epitaxial Layer Transfer from Porous Si
Yonehara, T. ; Sakaguchi, K.
出版情報: Pits and Pores : formation, properties, and significance for advanced materials : proceedings of the International Symposium.  pp.313-317,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-25
2.

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2. Mechanism of Pore-Enlargement in Double Porous Si Layers
Sakaguchi, K. ; Kurisu, H. ; Ohmi, K. ; Yonehara, T.
出版情報: Pits and Pores : formation, properties, and significance for advanced materials : proceedings of the International Symposium.  pp.318-325,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-25
3.

国際会議録
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3. SELECTIVE GROWTH OF Si CRYSTALS OVER AMORPHOUS SUBSTRATES SEEDED BY SOLID-STATE AGGLOMERATION OF PATTERNED Si
Yamagata, K. ; Yonehara, T.
出版情報: Materials issues in microcrystalline semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.365-370,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 164
4.

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4. CVD-Epitaxial Growth on Porous Si for ELTRAN SOl-Epi Wafers
Sato, N. ; Ishii, S. ; Yonehara, T.
出版情報: CVD XV, proceedings of the fifteenth International Symposium on Chemical Vapor Deposition.  pp.435-441,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-13
5.

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5. Epiaxial Layer Transfer by Bond and Etch-Back of Porous SI
Yonehara, T. ; Sakaguchi, K. ; Sato, N.
出版情報: Proceedings of the Third International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding : physics and applications.  pp.47-55,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-7
6.

国際会議録
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6. *ZONE MELTING RECRYSTALLIZATION OF PATTERNED FILMS AND LOW- TEMPERATURE GRAPHOEPITAXY
Smith, H. I. ; Thompson, C. V. ; Geis, M. W. ; Atwater, H. A. ; Yonehara, T. ; Wong, C. C.
出版情報: Energy beam-solid interactions and transient thermal processing : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.459-464,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 23
7.

国際会議録
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7. Detection of SOI Fatal Defects by Cu Decoration in Conjunction with HF Immersion
Notsu, K. ; Honma, N. ; Yonehara, T.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.57-62,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
8.

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8. Volume Production in ELTRANr SOI-Epi WafersTM
Isaj, H. ; Nakayama, J. ; Yonehara, T.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.45-50,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
9.

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9. CONTROL OF GRAIN BOUNDARY LOCATION BY SELECTIVE NUCLEATION OVER AMORPHOUS SUBSTRATES
Yonehara, T. ; Nishigaki, Y. ; Mizutani, H. ; Kondoh, S.
出版情報: Polysilicon films and interfaces : symposium held December 1-3, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.21-26,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 106
10.

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10. SELECTIVE NUCLEATION OF SINGLE CRYSTAL CVD DIAMOND AND ITS APPLICABILITY TO SEMICONDUCTOR DEVICES
Kawarada, H. ; Ma, J.S. ; Yonehara, T. ; Hiraki, A.
出版情報: Diamond, silicon carbide, and related wide bandgap semiconductors : symposium held November 27-December 1, 1989, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.195-200,  1990.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 162
11.

国際会議録
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11. ELTRAN (SOI-Epi Wafer) Technology
Yonehara, T. ; Sakaguchi, K.
出版情報: Progress in SOI structures and devices operating at extreme conditions.  pp.39-86,  2002.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 58
12.

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12. Abnormal grain growth in ultra-thin films of germanium on insulator
Yonehara, T. ; Thompson, T. V. ; Smith, H. I.
出版情報: Thin films and interfaces II : symposium held November 1983, in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.517-524,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 25
13.

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13. Scalable Potential and Volume Production in ELTRAN (R); SOI-Epi WafersTM
Sakaguchi, K. ; Yonehara, T.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.197-204,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-27
14.

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14. EPITAXIAL GROWTH ON POROUS Si FOR A NEW BOND AND ETCH-BACK SOI
Sato, N. ; Sakaguchi, K. ; Yamagata, K. ; Fujiyama, Y. ; Yonehara, T.
出版情報: Proceedings of the Seventh International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.443-454,  1994.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 1994-10