1.

国際会議録
国際会議録
1. CVD Epitaxial Growth of 4H-SiC on Porous SiC Substrates
Shishkin, Y. ; Ke, Y. ; Yan, F. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.255-258,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Columnar Pore Growth in n-Type 6H SiC
Ke, Y. ; Yan, F. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.739-742,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Evidence for Phosphorus on Carbon and Silicon Sites in 6H and 4H SiC
Yan, F. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J. ; Gali, A. ; Bhat, I.B. ; Larkin, D.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.585-588,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Photoluminescence Study of C-H and C-D Centers in 4H SiC
Bai, S. ; Yan, F. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J. ; Grotzschel, R. ; Wagner, G. ; MacMillan, M.F.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.589-592,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460