1.

国際会議録
国際会議録
1. Low Rons in 3kV 4H-SiC UMOSFET with MeV Implanted Buried P-Base Region
S. Harada ; M. Kato ; M. Shinozaki ; Y. Kobayashi ; K. Ariyoshi
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France.  pp.769-772,  2015.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 821-823
2.

国際会議録
国際会議録
2. Comparative Study of Characteristics of Lateral MOSFETs Fabricated on 4H-SiC (11-20) and (1-100) Faces
K. Ariyoshi ; S. Harada ; J. Senzaki ; T. Kojima ; Y. Kobayashi
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France.  pp.721-724,  2015.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 821-823
3.

国際会議録
国際会議録
3. 1200 V SiC IE-UMOSFET with Low On-Resistance and High Threshold Voltage
S. Harada ; Y. Kobayashi ; A. Kinoshita ; N. Ohse ; T. Kojima ; M. Iwaya ; H. Shiomi ; H. Kitai ; S. Kyogoku ; K. Ariyoshi ; Y. Onishi ; H. Kimura
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.497-500,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897