1.

国際会議録
国際会議録
1. EFFECT OF RIE SEQUENCE AND POST-RIE SURFACE PROCESSING ON THE RELIABILITY OF GATE OXIDE lN A TRENCH
Grebs, T. ; Ridley, R. ; Chang, K. ; Wu, C.-T. ; Agarwal, R. ; Mytych, J. ; Dimachkie, W. ; Dolny, G. ; Michalowicz, J. ; Ruzyllo, J.
出版情報: Cleaning technology in semiconductor device manufacturing VIII : proceedings of the international symposium.  pp.108-115,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-26
2.

国際会議録
国際会議録
2. THICKNESS DEPENDENT SENSITIVITY OF GATE OXIDES TO SURFACE CONTAMINATION
Ridley, R. ; Wu, C.-T. ; Roman, P. ; Dolny, G. ; Grebs, T. ; Stensney, F. ; Ruzyllo, J.
出版情報: Cleaning technology in semiconductor device manufacturing : proceedings of the sixth international symposium.  pp.158-164,  1999.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-36