1.

国際会議録
国際会議録
1. Defect Properties in GaN: Ab Initio and Empirical Potential Calculations
Gao, F. ; Bylaska, E. J. ; Weber, W. J.
出版情報: PRICM 5 : the Fifth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, November 2-5, 2004, Beijing, China.  pp.3087-3090,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 475-479(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Computer Simulation of Displacement Damage in Silicon Carbide
Devanathan, R. ; Gao, F. ; Weber, W. J.
出版情報: Materials for space applications : symposium held November 29-December 3, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.317-322,  2005.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 851
3.

国際会議録
国際会議録
3. Studies of Damage Accumulation in 4H Silicon Carbide by Ion-Channeling Techniques
Zhang, Y. ; Gao, F. ; Jiang, W. ; McCready, D. E. ; Weber, W. J.
出版情報: PRICM 5 : the Fifth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, November 2-5, 2004, Beijing, China.  pp.1341-1344,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 475-479(2)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Defects and Ion-Solid Interactions in Silicon Carbide
Weber, W. J. ; Gao, F. ; Devanathan, R. ; Jiang, W. ; Zhang, Y.
出版情報: PRICM 5 : the Fifth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, November 2-5, 2004, Beijing, China.  pp.1345-1350,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 475-479(2)