1.

国際会議録
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1. EPITAXIAL PHASE FORMATION OF FeSi2 IN AN Fe-IMPLANTED Si BY ION IRRADIATION AND RAPID THERMAL ANNEALING
Lin, X.W. ; Behar, M. ; Desimoni, J. ; Bernas, H. ; Swider, W. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J.
出版情報: Beam-solid interactions : fundamentals and applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.535-540,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 279
2.

国際会議録
国際会議録
2. INVESTIGATION OF MISFIT DISLOCATION CONFIGURATIONS IN MBE-GROWN InGaAs LAYERS ON MISALIGNED GaAs(001) SUBSTRATES
Werner, P. ; Zakharov, N.D. ; Chen, Y. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Klem, J.F. ; Tsao, J.Y.
出版情報: Microcrystalline semiconductors : materials science & devices : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.811-814,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 283
3.

国際会議録
国際会議録
3. SURFACE FACETING OF (110) GaAs: ANALYSIS AND ELIMINATION
Parechianian-Allen, L. ; Weber, E. R. ; Washburn, J. ; Pao, Y. C.
出版情報: Characterization of defects in materials : symposium held December 1-2, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.487-492,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 82
4.

国際会議録
国際会議録
4. NEW A1-Ni-Ge CONTACTS ON GaAs; THEIR STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Musgrave, C. ; Weber, E.R. ; Zuleeg, R. ; Lampert, W.V. ; Haas, T.W.
出版情報: Advanced surface processes for optoelectronics : symposium held April 5-8, 1988, Reno, Nevada, U.S.A..  pp.295-302,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 126
5.

国際会議録
国際会議録
5. DYNAMIC ANNEALING PHENOMENA AND THE ORIGIN OF RTA-INDUCED “HAIRPIN" DISLOCATIONS
Maszara, W. ; Sadana, D. K. ; Rozgonyi, G. A. ; Sands, T. ; Washburn, J. ; Wortman, J. J.
出版情報: Energy beam-solid interactions and transient thermal processing/1984 : symposium held November 26-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.277-286,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 35
6.

国際会議録
国際会議録
6. THIN FILM Ag/YBCO MULTISTRUCTURES FOR METAL CONTACT APPLICATIONS
Powers, M. ; Gronsky, R. ; Washburn, J.
出版情報: Layered superconductors : fabrication, properties, and applications : symposium held April 27-May 1, 1992, in San Francisco, California, U.S.A..  pp.825-830,  1992.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 275
7.

国際会議録
国際会議録
7. THE FORMATION OF AMORPHOUS SILICON BY LIGHT ION DAMAGE
Shih, Y. ; Washburn, J. ; Weber, E. R. ; Gronsky, R.
出版情報: Ion beam processes in advanced electronic materials and device technology : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.65-70,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 45
8.

国際会議録
国際会議録
8. High Resolution Study of the Relationship Between Misfit Accommodation and Growth of Cu2-xS in CdS
Sands, T. ; Washburn, J. ; Gronsky, R.
出版情報: Electron microscopy of materials : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.241-246,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 31
9.

国際会議録
国際会議録
9. THE STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES OF Au CONTACTS TO GaAs
Liliental-Weber, Z. ; Newman, N. ; Spicer, W.E. ; Gronsky, P. ; Washburn, J. ; Weber, E.R.
出版情報: Thin films : interfaces and phenomena : symposium held December 2-6, 1985, Boston, Massachusetts, USA.  pp.415-420,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 54
10.

国際会議録
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10. THE STRUCTURE OF A1/GaAs INTERFACES
Liliental-Weber, Zuzanna ; Nelson, C. ; Gronsky, R. ; Washburn, J. ; Ludeke, R.
出版情報: Interfaces, superlattices, and thin films : symposium held December 1-6, 1986, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.229-234,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 77
11.

国際会議録
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11. COMPARIUSON OF Pd/InP AND Pd-GaAs THIN-FILM SYSTEMS FOR DEVICE METALLIZATION
Caron-Popowich, R. ; Washburn, J. ; Sands, Timothy ; Marshall, E. D.
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.53-60,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
12.

国際会議録
国際会議録
12. ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF Ti CONTACTS ON AN ATOMICALLY CLEAN N-TYPE GaAs SURFACE
Lin, X.W. ; Liliental-Weber, Z. ; Swider, W. ; McCants, T. ; Newman, N. ; Spicer, W.E. ; Washburn, J. ; Weber, E.R.
出版情報: Semiconductor heterostructures for photonic and electronic applications : symposium held November 30-December 4, 1992, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.665-670,  1993.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 281
13.

国際会議録
国際会議録
13. PHASE FORMATION IN THE Pt/InP THIN FILM SYSTEM
Olson, D. A. ; Yu, K. M. ; Washburn, J. ; Sands, Timothy
出版情報: Chemistry and defects in semiconductor heterostructures.  pp.47-52,  1989.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 148
14.

国際会議録
国際会議録
14. REGROWTH OF IMPLANTED-AMORPHOUS Si
Ling, P. ; Wu, N.R. ; Washburn, J.
出版情報: Materials issues in silicon integrated circuit processing : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.179-182,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 71
15.

国際会議録
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15. High Resolution TEM Studies of Defects Near Si-SiO2 Interface
Mazur, J. H. ; Washburn, J.
出版情報: Electron microscopy of materials : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.105-110,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 31
16.

国際会議録
国際会議録
16. HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY OF Se+ IMPALNATED AND ANNEALED GaAs
Sadana, D. K. ; Sands, T. ; Washburn, J.
出版情報: Ion implantation and ion beam processing of materials : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.311-322,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 27
17.

国際会議録
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17. A MODEL OF AMORPHOUS SILICON LAYER REGROWTH
Ling, P. ; Washburn, J.
出版情報: Ion beam processes in advanced electronic materials and device technology : symposium held April 15-18, 1985, San Francisco, California, U.S.A..  pp.47-52,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 45
18.

国際会議録
国際会議録
18. MEGAVOLT BORON AND ARSENIC IMPLANTATION INTO SILICON
Bryne, P. F. ; Cheung, N. W. ; Tam, S. ; Hu, C. ; Shih, Y. C. ; Washburn, J. ; Starthman, M.
出版情報: Ion implantation and ion beam processing of materials : symposium held November 1983 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.253-258,  1984.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 27
19.

国際会議録
国際会議録
19. THE INFLUENCE OF CURRENT STRESSING ON THE STRUCTURE OF Ag CONTACTS TO GaAs
Liliental-Weber, Z. ; Miret-Goutier, A. ; Newman, N. ; Jou, C. ; Spicer, W. E. ; Washburn, J. ; Weber, E. R.
出版情報: Epitaxy of semiconductor layered structures : symposium held November 30-December 4, 1987, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.241-244,  1988.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 102
20.

国際会議録
国際会議録
20. Polarity of GaN
Liliental-Weber, Z. ; Benamara, M. ; Richter, O. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Grzegory, I. ; Porowski, S. ; Yang, J. W. ; Nakamura, S.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high power, high frequency, and high temperature : symposium held April 13-15, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.363-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 512
21.

国際会議録
国際会議録
21. AMORPHIZATION OF SILICON BY BORON ION IMPLANTATION
Shih, Y. ; Washburn, J. ; Gronsky, R. ; Weber, E.R.
出版情報: Materials issues in silicon integrated circuit processing : symposium held April 15-18, 1986, Palo Alto, California, U.S.A..  pp.203-210,  1986.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 71
22.

国際会議録
国際会議録
22. Nanotubes in GaN
Liliental-Weber, Z. ; Chen, Y. ; Ruvimov, S. ; Swider, W. ; Washburn, J.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.417-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
23.

国際会議録
国際会議録
23. COMPARISON BETWEEN ION-BEAM AND THERMAL-ANNEALING INDUCED SOLID PHASE EPITAXY IN Fe-IMPLANTED Si
Lin, X. W. ; Desimoni, J. ; Bernas, H. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J.
出版情報: Silicides, germanides, and their interfaces : Symposium held November 29-December 2, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.97-,  1994.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 320
24.

国際会議録
国際会議録
24. Effect of the doping and the Al content on the microstructure and morphology of thin Alx Ga1-xN layers grown by MOCVD
Mazur, J. H. ; Benamara, M. ; Liliental-Weber, Z. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Eiting, C. J. ; Dupuis, R. D.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W3.77.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
25.

国際会議録
国際会議録
25. Metallurgical and electrical properties of capped Au-based metallizations on GaAs
Lin, X. W. ; Piotrowska, A. ; Kaminska, E. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J.
出版情報: III-V electronic and photonic device fabrication and performance : symposium held April 12-15, 1993, San Francisco, California, U.S.A..  pp.285-,  1993.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 300
26.

国際会議録
国際会議録
26. TEM Study of Defects in Laterally Overgrown GaN Layers
Liliental-Weber, Z. ; Benamara, M. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Park, J. ; Grudowski, P. A. ; Eiting, C. J. ; Dupuis, R. D.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G4.6.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
27.

国際会議録
国際会議録
27. Role of Dopants and Impurities on Pinhole Formation; Defects Formed at InGaN/GaN and AlGaN/GaN Quantum Wells
Liliental-Weber, Z. ; Ruvimov, S. ; Swider, W. ; Kim, Y. ; Washburn, J. ; Nakamura, S. ; Kern, R. S. ; Chen, Y. ; Yang, J. W.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.375-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
28.

国際会議録
国際会議録
28. Structural and Photoluminescence Studies of Er-Implanted LT-GaAs:Be
Maltez, R. L. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Behar, M. ; Klein, P. B. ; Specht, P. ; Weber, E. R.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors, II : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.319-,  1998.  Warrendale, Pa.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 510
29.

国際会議録
国際会議録
29. TEM/HREM Analysis of Defects in GaN Epitaxial Layers Grown by MOVPE on SiC and Sapphire
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Dieker, C. ; Washburn, J. ; Koike, M. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: Gallium nitride and related materials II : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.287-,  1997.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 468
30.

国際会議録
国際会議録
30. TEM Structure Characterization of Ti/Al and Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts for n-GaN
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Duxstad, K. J. ; Haller, E. E. ; Fan, Z.-F. ; Mohammad, S. N. ; Kim, W. ; Botchkarev, A. E. ; Morkoc, H.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.201-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
31.

国際会議録
国際会議録
31. EVOLUTION OF CUBIC FeSi2 IN Si UPON THERMAL ANNEALING
Lin, X. W. ; Desimoni, J. ; Bernas, H. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J.
出版情報: Phase transformations in thin films : thermodynamics and kinetics : symposium held April 13-15, 1993, San Francisco, California, U.S.A..  pp.293-,  1993.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 311
32.

国際会議録
国際会議録
32. Effects of damage-impurity interaction on electrical properties of Se+-implanted GaAs
Sadana, D.K. ; Washburn, J. ; Strathman, D. ; Booker, G.R. ; Badawi, M.H.
出版情報: Defects in semiconductors : proceedings of the Materials Research Society Annual Meeting, November 1980, Copley Plaza Hotel, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.515-519,  1981.  New York.  North Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposia proceedings
シリーズ巻号: 2
33.

国際会議録
国際会議録
33. Structural Defects in Heteroepitaxial and Homoepitaxial GaN
Lillental-Weber, Zuzanna ; Ruvimov, S. ; Kisielowski, Ch. ; Chen, Y. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Newman, N. ; Gassmann, A. ; Liu, X. ; Schloss, L. ; Weber, E. R. ; Grzegory, I. ; Bockowski, M. ; Jun, J. ; Suski, T. ; Pakula, K. ; Baranowski, J. ; Porowski, S. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.351-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
34.

国際会議録
国際会議録
34. Atomic Structure of Grain Boundaries and Interfaces in III-Nitrides Epitaxial Systems
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Amano, H. ; Akasaki, I. ; Koike, M.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.387-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
35.

国際会議録
国際会議録
35. Effect of Si Doping on the Structure of GaN
Liliental-Weber, Zuzanna ; Ruvimov, S. ; Suski, T. ; Ager, J. W., III ; Swider, W. ; Chen, Y. ; Kisielowski, Ch. ; Washburn, J. ; Akasaki, I. ; Amano, H. ; Kuo, C. ; Imler, W.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.487-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
36.

国際会議録
国際会議録
36. CORRELATION BETWEEN THE MICROSTRUCTURES AND THE ELECTRICAL PROPERTIES OF Ni/Au/Te/Au CONTACTS ON n-GaAs
Lin, X. W. ; Watte, J. ; Wuyts, K. ; Swider, W. ; Silverans, R. E. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J.
出版情報: Advanced metallization for devices and circuits--science, technology, and manufacturability : symposium held April 4-8, 1994, San Francisco, California, U.S.A..  pp.295-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 337
37.

国際会議録
国際会議録
37. TEM Study Of High Quality GaN Grown By OMVPE Using An Intermediate Layer
Benamara, Mourad ; Liliental-Weber, Z. ; Kellermann, S. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Mazur, J.H. ; Bourret-Courchesne, E.D.
出版情報: Wide-bandgap electronic devices.  pp.T6.14-,  2001.  Warrendale, PA..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 622
38.

国際会議録
国際会議録
38. TEM INVESTIGATION OF POLAR ON NONPOLAR EPITAXY: GaAs-AlGaAs on (100) Ge
Mazur, J. H. ; Washburn, J. ; Henderson, T. ; Klem, J. ; Masselink, W. T. ; Fisher, R. ; Morkoc, H.
出版情報: Layered structures, epitaxy, and interfaces : symposium held November 26-30, 1984, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.103-108,  1985.  Pittsburgh.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 37
39.

国際会議録
国際会議録
39. DAMAGE AND IN-SITU ANNEALING DURING ION IMPLANTATION
Sadana, D. K. ; Washburn, J. ; Byrne, P. F. ; Cheung, N. W.
出版情報: Defects in semiconductors II : symposium held November 1982 in Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.511-516,  1983.  New York.  North-Holland
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 14
40.

国際会議録
国際会議録
40. PHASE FORMATION SEQUENCE IN THE Pd-GaAs SYSTEM
Sands, T. ; Keramidas, V.G. ; Yu, A.J. ; Yu, K.M. ; Gronsky, R. ; Washburn, J.
出版情報: Thin films : interfaces and phenomena : symposium held December 2-6, 1985, Boston, Massachusetts, USA.  pp.367-372,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 54
41.

国際会議録
国際会議録
41. THE STRUCTURE OF GaAs/Si(211) HETEROEPITAXIAL LAYERS
Liliental-Weber, Z. ; Weber, E. R. ; Washburn, J. ; Liu, T. Y. ; Kroemer, H.
出版情報: Heteroepitaxy on silicon II : symposium held April 21-23, 1987, Anaheim, California, U.S.A..  pp.91-98,  1987.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 91
42.

国際会議録
国際会議録
42. Screw Dislocations in MBE GaN Layers Grown on Top of HVPE Layers: Are They Different?
Liliental-Weber, Z. ; Zakharov, D. ; Jasinski, J. ; Washburn, J. ; O'Keefe, M.A. ; Morkoc, H.
出版情報: GaN and related alloys - 2002 : symposium held December 2-6, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.243-248,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 743
43.

国際会議録
国際会議録
43. Effect of Stoichiometry on Defect Distribution in Cubic GaN Grown on GaAs by Plasma-Assisted MBE
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Drummond, T. J. ; Hafish, M. ; Lee, S. R.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.251-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
44.

国際会議録
国際会議録
44. Atomic scale analysis of InGaN multi-quantum wells
Benamara, M. ; Liliental-Weber, Z. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Dupuis, R. D. ; Grudowski, P. A. ; Eiting, C. J. ; Yang, J. W. ; Khan, M. A.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.357-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
45.

国際会議録
国際会議録
45. REORIENTATION OF MISFIT DISLOCATIONS DURING ANNEALING IN InGaAs/GaAs(001) INTERFACES
Chen, Y. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Klem, J. F. ; Tsao, J. Y.
出版情報: Thin films : stresses and mechanical properties IV : symposium held April 12-16, 1993, San Francisco, California, U.S.A..  pp.405-,  1993.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 308
46.

国際会議録
国際会議録
46. Effect of N/Ga flux ratio in GaN buffer layer growth by MBE on (0001) sapphire on defect formation in the GaN main layer
Ruvimov, S. ; Liliental-Weber, Z. ; Washburn, J. ; Kim, Y. ; Sudhir, G. S. ; Krueger, J. ; Weber, E. R.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.295-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
47.

国際会議録
国際会議録
47. STRUCTURE AND ELECTRONIC PROPERTIES OF MISFIT DISLOCATIONS IN ZnSe/GaAs(001) HETEROJUNCTIONS
Chen, Y. ; Liu, X. ; Weber, E. ; Bourret, E. D. ; Olego, D. J. ; Dorman, D. R. ; Gaines, J. M. ; Tasker, N. R. ; Liliental-Weber, Z. ; Haller, E. ; Washburn, J.
出版情報: Compound semiconductor epitaxy : symposium held April 4-7, 1994, San Francisco, California, U.S.A..  pp.491-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 340
48.

国際会議録
国際会議録
48. TEM study of Mg-doped bulk GaN crystals
Liliental-Weber, Z. ; Benamara, M. ; Ruvimov, S. ; Mazur, J. H. ; Washburn, J. ; Grzegory, I. ; Porowski, S.
出版情報: Wide-bandgap semiconductors for high-power, high-frequency, and high temperature applications--1999 : symposium held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.363-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 572
49.

国際会議録
国際会議録
49. The role of the multi buffer layer technique on the structural quality of GaN
Benamara, M. ; Liliental-Weber, Z. ; Mazur, J. H. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Iwaya, M. ; Akasaki, I. ; Amano, H.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W5.8.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
50.

国際会議録
国際会議録
50. Mg, segregation, difficulties of P-doping in GaN
Liliental-Weber, Z. ; Benamara, M. ; Swider, W. ; Washburn, J. ; Grzegory, I. ; Porowski, S. ; Dupuis, R. D. ; Eiting, C. J.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W9.7.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595