1.

国際会議録
国際会議録
1. High Quality Silicon Oxide Deposited with A Multipolar Electron Cyclotron Resonance Plasma Source
Isai, G. ; Kovalgin, A. ; Holleman, J. ; Woerlee, P. ; Wallinga, H.
出版情報: Thin Film Transistor Technologies V : proceedings of the International Symposium.  pp.169-175,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-31
2.

国際会議録
国際会議録
2. Physical Properties of SiO2 Layers Deposited at Room Temperature by a Combination of ECR Plasma and High-Speed Jet of Silane
Isai, G. ; Holleman, J. ; Woerlee, P. ; Wallinga, H. ; Modreanu, M. ; Cobianu, C.
出版情報: Chemical vapor deposition XVI and EUROCVD 14 : proceedings of the international symposium.  pp.609-616,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-8