1.

国際会議録
国際会議録
1. Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on SOI using HMDS
Aboughe-Nze, P. ; Planes, N. ; Ravetz, M. ; Fraisse, B. ; Contreras, S. ; Vicente, P. ; Chassagne, T. ; Monteil, Y. ; Rushworth, S. ; Camassel, J.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.92-99,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
国際会議録
2. Characterization of 3C-SiC/SOI Deposited with HMDS
Planes, N. ; Aboughe-Nze, P. ; Ravetz, M. ; Contreras, S. ; Vicente, P. ; Chassagne, T. ; Fraisse, B. ; Camassel, J. ; Monteil, Y. ; Rushworth, S.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.599-602,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(1)