1.

国際会議録
国際会議録
1. Uniaxially Strained Si/SiGe Wire-Channel Transistors
T. Tezuka ; T. Irisawa ; E. Toyoda ; N. Sugiyama ; S. Takagi
出版情報: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 4 : new materials, processes and equipment.  pp.263-274,  2008.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 13(1)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
S. Takagi ; T. Irisawa ; T. Tezuka ; S. Nakaharai ; T. Numata
出版情報: ULSI process integration 5.  pp.61-74,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 11(6)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Prospects and Critical Issues on Ge MOS Technologies
S. Takagi ; N. Taoka ; S. Nakaharai ; K. Ikeda ; T. Tezuka
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.823-829,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)