1.

国際会議録
国際会議録
1. Ge Condensation Technologies for Advanced MOSFETs on SGOI and GOI Substrates
N. Sugiyama ; T. Tezuka ; T. Irisawa ; K. Usuda ; Y. Moriyama
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1015-1022,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Uniaxially Strained SGOI and SSOI Channels for High Performance Multi-Gate CMOS
T. Irisawa ; T. Numata ; T. Tezuka ; K. Usuda ; N. Hirashita
出版情報: SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices.  pp.367-379,  2008.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 16(10)