1.

国際会議録
国際会議録
1. Diffusion of Phosphorus in Strained Si/SiGe/Si Heterostructures
Kuznetsov, A. Yu. ; Christensen, J. S. ; Linnarsson, M. K. ; Svensson, B. G. ; Radamson, H. H. ; Grahn, J. ; Landgren, G.
出版情報: Si front-end processing - physics and technology of dopant-defect interactions : symposium held April 6-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.271-,  1999.  Warrendale, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 568
2.

国際会議録
国際会議録
2. Characterization of Deep Level Defects in 4H and 6H SiC Via DLTS, SIMS and MeV E-Beam Irradiation
Doyle, J. P. ; Aboelfotoh, M. O. ; Linnarsson, M. K. ; Svensson, B. G. ; Schoner, A. ; Nordell, N. ; Harris, C. ; Lindstrom, J. L. ; Janzen, E. ; Hemmingsson, C.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.519-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
3.

国際会議録
国際会議録
3. Diffusion of Hydrogen in 6H Silicon Carbide
Linnarsson, M. K. ; Doyle, J. P. ; Svensson, B. G.
出版情報: III-Nitride, SiC, and Diamond Materials for Electronic Devices : symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.625-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 423
4.

国際会議録
国際会議録
4. Dissociation of Deuterium-Defect Complexes in Ion-Implanted Epitaxial 4H-SiC
Janson, M. ; Linnarsson, M. K. ; Hallen, A. ; Svensson, B. G.
出版情報: Hydrogen in semiconductors and metals : symposium held April 13-17, 1998, San Francisco, California, U.S.A..  pp.439-,  1998.  Warrendale, Penn..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 513
5.

国際会議録
国際会議録
5. Metal-Contact Enhanced Incorporation of Deuterium in 4H- and 6H-SiC
Linnarsson, M. K. ; Spetz, A. Ll. ; Janson, M. S. ; Ekedahl, L. G. ; Karlsson, S. ; Schoner, A. ; Lundstrom, I. ; Svensson, B. G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.937-940,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
6.

国際会議録
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6. Formation of Passivated Layers in p-Type SiC by Low Energy Ion Implantation of Hydrogen
Achtziger, N. ; Hulsen, C. ; Janson, M. S. ; Linnarsson, M. K. ; Svensson, B. G. ; Witthuhn, W.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.933-936,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)
7.

国際会議録
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7. Channeled Implants in 6H Silicon Carbide
Janson, M. S. ; Hallen, A. ; Godignon, P. ; Kuznetsov, A. Yu. ; Linnarsson, M. K. ; Morvan, E. ; Svensson, B. G.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.889-892,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)