1.

国際会議録
国際会議録
1. (13.0) 8:00 - 8:10AM- Welcome (13.1) 8:10 - 8:30 AM - Effect of Growth Temperature on Lattice Relaxation during SiGe Growth on Si Substrates
Moriyama, Y. ; Sugiyama, N. ; Hirashita, N. ; Nakaharai, S. ; Takagi, S. (MIRAI-ASET)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.849-856,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
2.

国際会議録
国際会議録
2. (3.1) 3:20 - 3:50 PM - Strained-Si/SiGe-on-Insulator CMOS Technology as a Platform of Device Performance Boosters (Invited)
Takagi, S. ; Mizuno, T. ; Tezuka, T ; Sugiyama, N. ; Numata, T. ; Usuda, K. ; Moriyama, Y. ; Nakaharai, S. ; Koga, J. ; Tanabe, A. ; Hirashita, N. ; Irisawa, T. ; Maeda, T.(MIRAI-AIST)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.61-76,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07
3.

国際会議録
国際会議録
3. (11.2) 3:40 - 4:00 PM - Formation Mechanism of Ge-on-lnsulator Layers by Ge-condensation Technique
Nakaharai, S. ; Tezuka, T. ; Sugiyama, N. ; Takagi, S. (MIRAI ASET)
出版情報: SiGe: materials, processing, and devices : proceedings of the First international symposium.  pp.741-748,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-07