1.

国際会議録
国際会議録
1. Signature of the-Negative Carbon Vacancy-Antisite Complex
Bockstedte, M. ; Gali, A. ; Umeda, T. ; Son, N.T. ; Isoya, J. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.539-542,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Divacancy and Its Identification: Theory
Gali, A. ; Bockstedte, M. ; Son, N.T. ; Umeda, T. ; Isoya, J. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.523-526,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Divacancy Model for P6/P7 Centers in 4H- and 6H-SiC
Son, N.T. ; Umeda, T. ; Isoya, J. ; Gali, A. ; Bockstedte, M. ; Magnusson, B. ; Ellison, A. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Itoh, H. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.527-530,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Shallow P Donors in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Isoya, J. ; Katagiri, M. ; Umeda, T. ; Son, N.T. ; Henry, A. ; Gali, A. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Itoh, H. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.593-596,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. Boron Centers in 4H-SiC
Aradi, B. ; Gali, A. ; Deak, P. ; Rauls, E. ; Frauenheim, T. ; Son, N.T.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.455-458,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
6.

国際会議録
国際会議録
6. Impurity-Controlled Dopant Activation - The Role of Hydrogen in p-Type Doping of SiC
Aradi, B. ; Gali, A. ; Deak, P. ; Son, N.T. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.561-564,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
国際会議録
7. Antisites as Possible Origin of Irradiation Induced Photoluminescence Centers in SiC: A Theoretical Study on Clusters of Antisites and Carbon Interstitials in 4H-SiC
Gali, A. ; Deak, P. ; Rauls, E. ; Ordejon, P. ; Carlsson, F.H.C. ; Ivanov, I.G. ; Son, N.T. ; Janzen, E. ; Choyke, W.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.443-448,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460
8.

国際会議録
国際会議録
8. Calculation of Hyperfine Constants of Defects in 4H-SiC
Gali, A. ; Deak, P. ; Son, N.T. ; Janzen, E. ; von Bardeleben, H.J. ; Monge, J.-L.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.511-514,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436
9.

国際会議録
国際会議録
9. Theoretical Investigation of an Intrinsic Defect in SiC
Gali, A. ; Deak, P. ; Son, N.T. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.477-480,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
10.

国際会議録
国際会議録
10. A Cause for SiC/SiO2 Interface States: the Site Selection of Oxygen in SiC
Deak, P. ; Gali, A. ; Hajnal, Z. ; Frauenheim, Th. ; Son, N.T. ; Janzen, E. ; Choyke, W.J. ; Ordejon, P.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2002 : ECSCRM2002, proceedings of the 4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-5, 2002, Linköping, Sweden.  pp.535-538,  2003.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 433-436