1.

国際会議録
国際会議録
1. Bending of Basal-Plane Dislocations in VPE Grown 4H-SiC Epitaxial Layers
Ha, S. ; Mieszkowski, P. ; Rowland, L.B. ; Skowronski, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.231-234,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
2.

国際会議録
国際会議録
2. Bending of Basal-Plane Dislocations in VPE Grown 4H-SiC Epitaxial Layers
Ha, S. ; Mieszkowski, P. ; Rowland, L.B. ; Skowronski, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.231-234,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393