1.

国際会議録
国際会議録
1. Growth of InGaN Films by MBE at the Growth Temperature of GaN
Singh, R. ; Moustakas, T. D.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.163-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
2.

国際会議録
国際会議録
2. Phase Separation and Atomic Ordering in AlGalnN Alloys
Moustakas, T. D. ; Singh, R. ; Korakakis, D. ; Doppalapudi, D. ; Ng, H. M. ; Sampath, A. ; Iliopoulos, E. ; Misra, M.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.193-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482
3.

国際会議録
国際会議録
3. HYDROGENATION OF GALLIUM NITRIDE
Brandt, M. S. ; Johnson, N. M. ; Molnar, R. J. ; Singh, R. ; Moustakas, T. D.
出版情報: Physics and applications of defects in advanced semiconductors : symposium held November 29-December 1, 1993, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.341-,  1994.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 325
4.

国際会議録
国際会議録
4. Photoconducting Properties of Ultraviolet Detectors Based on GaN and Al1-xGaxN Films Grown by ECR-MBE
Misra, M. ; Korakakis, D. ; Singh, R. ; Sampath, A. ; Moustakas, T. D.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.597-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
5.

国際会議録
国際会議録
5. MBE Growth and Optical Characterization of InGaN/AlGaN Multiquantum Wells
Singh, R. ; Herzog, W. D. ; Doppalapudi, D. ; Unlu, M. S. ; Goldberg, B. B. ; Moustakas, T. D.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.185-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449
6.

国際会議録
国際会議録
6. Electron Mobility of n-Type GaN Films
Ng, H. M. ; Doppalapudi, D. ; Singh, R. ; Moustakas, T. D.
出版情報: Nitride semiconductors : symposium held December 1-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.507-,  1998.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 482