1.

国際会議録
国際会議録
1. Lifetime and Leakage Current Studies in Shallow P-N Junctions
Poyai, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Rooyackers, R. ; Badenes, G. ; Gaubas, E.
出版情報: High Purity Silicon VI : proceedings of the sixth International Symposium.  pp.403-413,  2000.  Bellingham, Wash..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-17
2.

国際会議録
国際会議録
2. Impact of STI Width and Spacing on the Stress Generation in Deep Submicron CMOS
Poyai, A. ; Rittaporn, I. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Rooyackers, R.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.307-316,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
3.

国際会議録
国際会議録
3. Impact of Thermal Budget on Junction Leakage in a 0.18 and 0.13 μm CMOS Technology
Poyai, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Rooyackers, R. ; Redolfi, A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.213-222,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
4.

国際会議録
国際会議録
4. Diode Analysis of Deep Submicron CMOS P-Well Implantation Damage
Poyai, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Rooyackers, R.
出版情報: High purity silicon VII : proceedings of the international symposium.  pp.266-277,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-20