1.

国際会議録
国際会議録
1. Influence of Doping on the Lattice Dynamics of Gallium Nitride
Kaschner, A. ; Siegle, H. ; Hoffmann, A. ; Thomsen, C. ; Birkle, U. ; Einfeldt, S. ; Hommel, D.
出版情報: GaN and related alloys : symposium held November 30-December 4, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.G3.57.1-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 537
2.

国際会議録
国際会議録
2. Spatially-Resolved Photoluminescence and Raman Study on the GaN/Substrate Interface
Siegle, H. ; Thurian, P. ; Eckey, L. ; Hoffmann, A. ; Thomsen, C. ; Meyer, B. K. ; Detchprohm, T. ; Hiramatsu, K. ; Amano, H. ; Akasaki, I.
出版情報: Gallium nitride and related materials : the First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.577-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 395
3.

国際会議録
国際会議録
3. Depth Profile of the Excitonic Luminescence in Gallium-Nitride Layers
Siegle, H. ; Hoffmann, A. ; Eckey, L. ; Thomsen, C. ; Detchprohm, T. ; Hiramatsu, K. ; Davis, T. ; Steeds, J. W.
出版情報: III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.677-,  1997.  Pittsburgh, PA.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 449