1.

国際会議録
国際会議録
1. Cu Barrier Property of Low-K SiOCH Film with k = 3.5 Deposited by PE-CVD Using HMDSO and N2O Gases
Shioya, Y. ; Nishimoto, Y. ; Ohdaira, T. ; Suzuki, R. ; Maeda, K.
出版情報: Chemical vapor deposition XVI and EUROCVD 14 : proceedings of the international symposium.  pp.1239-1246,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-8
2.

国際会議録
国際会議録
2. Nitrogen-Free Cu Barrier SiOCH Film with k = 4.3
Nishimoto, Y. ; Shioya, Y. ; Shimoda, H. ; Ohdaira, T. ; Suzuki, R. ; Maeda, K.
出版情報: Chemical vapor deposition XVI and EUROCVD 14 : proceedings of the international symposium.  pp.1231-1238,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-8