1.

国際会議録
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1. Bonding of Hydrogen-Terminated Silicon: Thermal Evolution of the Interfacial Properties
Ploessl, A. ; Scholz, R. ; Schulze, H.-J. ; Hopfe, S.
出版情報: Semiconductor wafer bonding : science, technology, and applications : proceedings of the international symposia.  pp.224-231,  1999.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-35
2.

国際会議録
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2. Doping Of Oxidized Float Zone Silicon By Thermal Donors - A Low Thermal Budget Doping Method For Device Applications?
Job, R. ; Ulyashin, A.G. ; Huang, Y.L. ; Fahrner, W.R. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Tonelli, G.
出版情報: Defect and impurity engineered semiconductors and devices III : symposium held April 1-5, 2002, San Francisco, California, U.S.A..  pp.257-262,  2002.  Warrendale, Pa.  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 719
3.

国際会議録
国際会議録
3. Novel method for the investigation of lateral resistivity variations in power devices with high spatial resolution
Schulze, H.-J. ; Luedge, A. ; Riemann, H.
出版情報: ALTECH 95 : analytical techniques for semiconductor materials and process characterization II : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 95, The Hague, The Netherlands.  pp.109-120,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-30
4.

国際会議録
国際会議録
4. Irradiation-induced Deep Levels in Silicon（Invited Paper）
Siemieniec, R. ; Niedermostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Sudkamp, W. ; Kellner-Werdehausen, U. ; Lutz, J.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.369-384,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
5.

国際会議録
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5. Influence of Irradiation-Induced Defects on the Electrical Performance of Power Devices*
Schulze, H.-J. ; Niedemostheide, F.-J. ; Schmitt, M. ; Keilner-Werdehausen, U. ; Wachutka, G.
出版情報: High purity silicon VII : proceedings of the international symposium.  pp.320-335,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-20
6.

国際会議録
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6. Radiation-induced defects utilized for performance tailoring in high-power devices
Niedernostheide, F.-J. ; Schulze, H.-J. ; Kellner-Werdehausen, U. ; Frohnmeyer, A. ; Wachutka, G.
出版情報: Crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing III : DECON 2001 : proceedings of the Satellite Symposium to ESSDERC 2001, Nuremberg, Germany.  pp.112-120,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-29
7.

国際会議録
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7. Influence of D-Defects in FZ Material Used for Power Devices and Their Impact on Lifetime and Leakage Current
Schulze, H.-J.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.289-304,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13