1.

国際会議録
国際会議録
1. Current Gain Dependence on Emitter Width in 4H-SiC BJTs
Domeij, M. ; Lee, H.S. ; Zetterling, C.M. ; Ostling, M. ; Schoner, A.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1425-1428,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. A 4H-SiC BJT with an Epitaxially Regrown Extrinsic Base Layer
Danielsson, E. ; Domeij, M. ; Lee, H. S. ; Zetterling, C. M. ; Ostling, M. ; Schoner, A. ; Hallin, C.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2004 : ECSCRM 2004 : proceedings of the 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, August 31 - September 4 2004, Bologna, Italy.  pp.905-908,  2005.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 483-485
3.

国際会議録
国際会議録
3. Extrinsic Base Design of SiC Bipolar Transistors
Danielsson, E. ; Domeij, M. ; Zetterling, C.M. ; Oestling, M. ; Schoner, A.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2003 : ICSCRM, 2003 : proceedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003, Lyon, France, October 5-10, 2003.  pp.1117-1120,  2004.  Uetikon-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 457-460