1.

国際会議録
国際会議録
1. CVD Epitaxial Growth of 4H-SiC on Porous SiC Substrates
Shishkin, Y. ; Ke, Y. ; Yan, F. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J. ; Saddow, S.E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.255-258,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. SiC Pore Surfaces: Surface Studies of 4H-SiC(1-102) and 4H-SiC(-110-2)
Starke, U. ; Lee, W.Y. ; Coletti, C. ; Saddow, S.E. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.677-680,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. EPR Studies of SiCISiO2 Interfaces in n-type 4H-and 6H- Oxidized Porous SIC
von Bardeleben, H.J. ; Cantin, J.L. ; Mynbaeva, M. ; Saddow, S.E. ; Shishkin, Y. ; Devaty, R.P. ; Choyke, W.J.
出版情報: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII : proceedings of the international symposium.  pp.39-54,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-2
4.

国際会議録
国際会議録
4. SiC Defect Density Reduction by Epitaxy on Porous Surfaces
Saddow, S.E. ; Mynbaeva, M. ; Choyke, W.J. ; Devaty, R.P. ; Bai, S. ; Melnychuck, G. ; Koshka, Y. ; Dmitriev, V. ; Wood, C.E.C.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.115-118,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356