1.

国際会議録
国際会議録
1. Degradation of Charge Collection Efficiency Obtained for 6H-SiC n+p Diodes Irradiated with Gold Ions
T. Ohshima ; T. Satoh ; M. Oikawa ; S. Onoda ; S. Hishiki ; T. Hirao ; T. Kamiya ; T. Yokoyama ; A. Sakamoto ; R. Tanaka ; I. Nakano ; G. Wagner ; H. Itoh
出版情報: Silicon carbide and related materials 2006 : ECSCRM 2006, Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Newcastle upon Tyne, UK, September 2006.  pp.913-916,  2007.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 556-557
2.

国際会議録
国際会議録
2. Creation and Functionalization of Defects in SiC by Proton Beam Writing
T. Ohshima ; T. Honda ; S. Onoda ; T. Makino ; M. Haruyama ; T. Kamiya ; T. Satoh ; Y. Hijikata ; W. Kada ; O. Hanaizumi ; A. Lohrmann ; J.R. Klein ; B.C. Johnson ; J.C. McCallum ; S. Castelletto ; B.C. Gibson ; H. Kraus ; V. Dyakonov ; G.V. Astakhov
出版情報: Silicon Carbide and Related Materials 2016.  pp.233-237,  2017.  Aedermannsdorf, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 897