1.

国際会議録
国際会議録
1. In Situ Analysis of the Formation of Thin TiSi2 (<50 nm) Contacts in Submicron CMOS Structures During Rapid Thermal Annealing
Clevenger, L. A. ; Cabral, C., Jr ; Roy, R. A. ; Lavoie, C. ; Viswanathan, R. ; Saenger, K. L. ; Jordan-Sweet, J. ; Morales, G. ; Ludwig, K. L., Jr ; Stephenson, G. B.
出版情報: Silicide thin films - fabrication, properties, and applications : Symposium held November 27-30, 1995, Boston, Massachusetts, USA.  pp.257-,  1996.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 402
2.

国際会議録
国際会議録
2. The Future of Silicide for CMOS Contacts
Roy, R. A. ; Cabral, C., Jr. ; Lavoie, C.
出版情報: Advanced interconnects and contacts : symposium held April 5-7, 1999, San Francisco, California, U.S.A..  pp.35-,  1999.  Warrendale, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 564
3.

国際会議録
国際会議録
3. Dependence of Crystallographic Texture of C54 TiSi2 on Thickness and Linewidth in Submicron CMOS Structures
Svilan, V. ; Rodbell, K. P. ; Clevenger, L. A. ; Cabral, C., Jr. ; Roy, R. A. ; Lavoie, C. ; Jordan-Sweet, J. ; Harper, J. M. E.
出版情報: Advanced metallization for future ULSI : symposium held April 8-11, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.53-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 427