1.

国際会議録
国際会議録
1. SiO2/Gd2O3/GaN Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
Johnson, J.W. ; Gila, B.P. ; Luo, B. ; Lee, K.P. ; Abernathy, C.R. ; Pearton, S.J. ; Chyi, J.I. ; Nee, T.E. ; Lee, C.M. ; Chuo, C.C. ; Anderson, T.J. ; Ren, F.
出版情報: High Speed Compound Semiconductor Devices for Wireless Applications and State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (XXXIII) : proceedings of the International Symposium.  pp.152-157,  2000.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-18
2.

国際会議録
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2. Effect of Proton Radiation on dc And rf Performance of AIGaN/GaN HEMTs
Kim, J. ; Gila, B.P. ; Mehandnj, R. ; Johnson, J.W. ; Shin, J.H. ; Lee, K.P. ; Luo, B. ; Onstine, A. ; Abernathy, C.R. ; Pearton, S.J. ; Ren, F.
出版情報: State-of-the-art program on compound semiconductors XXXVI and wide bandgap semiconductors for photonic and electronic devices and sensors II : proceedings of the international symposia.  pp.191-197,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-3
3.

国際会議録
国際会議録
3. Electrical Properties of GaN/InGaN MQW Heterojunction Diodes as Affected by Various Plasma Treatments
Kim, J. ; Luo, B. ; Mehandru, R. ; Ren, F. ; Lee, K.P. ; Pearton, S.J. ; Polyakov, A.Y. ; Smirnov, N.B. ; Govorkov, A.V. ; Osinsky, A.V. ; Norris, P.E.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.653-658,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
4.

国際会議録
国際会議録
4. Electrical Properties of n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC Heterojunction Diodes
Luo, B. ; Kim, J. ; Mehandru, R. ; Ren, F. ; Lee, K.P. ; Pearton, S.J. ; Polyakov, A.Y. ; Smirnov, N.B. ; Govorkov, A.V. ; Kozhukhova, E.A. ; Osinsky, A.V. ; Norris, P.E.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.659-664,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
5.

国際会議録
国際会議録
5. Electrical Properties of n-GaN/p-SiC and n-AlGaN/p-SiC Heterojunction Diodes
Luo, B. ; Kim, J. ; Mehandru, R. ; Ren, F. ; Lee, K.P. ; Pearton, S.J. ; Polyakov, A.Y. ; Smirnov, N.B. ; Govorkov, A.V. ; Kozhukhova, E.A. ; Osinsky, A.V. ; Norris, P.E.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.335-340,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
6.

国際会議録
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6. Effect of N2 Plasma Treatments on Dry Etch Damage in n- and p-type GaN
Kent, D. G. ; Lee, K.P. ; Zhang, A. P. ; Luo, B. ; Overberg, M.E. ; Abernathy, C. R. ; Ren, F. ; Mackenzie, K. D. ; Pearton, S.J. ; Nakagawa, Y.
出版情報: GaN and related alloys - 2000 : symposium held November 27-December 1, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A..  2001.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 639
7.

国際会議録
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7. Electrical Characterization of GaN Metal Oxide Semiconductor Diode Using Sc2O3 as the Gate Oxide
Mehandru, R. ; Gila, B.P. ; Kim, J. ; Johnson, J.W. ; Lee, K.P. ; Luo, B. ; Onstine, A.H. ; Abernathy, C.R. ; Pearton, S.J. ; Ren, F.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.767-772,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693