1.

国際会議録
国際会議録
1. CHARACTERISTICS OF 56 MeV OXYGEN IMPLANTATION INTO Si AND III-V SEMICONDUCTORS
Pearton, S.J. ; Jalali, B. ; Poate, J.M. ; Fox, J.D. ; Kemper, K.W. ; Magee, C.W. ; Jones, K.S.
出版情報: Surface chemistry and beam-solid interactions : symposium held November 26-29, 1990, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.271-276,  1991.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 201
2.

国際会議録
国際会議録
2. DAMAGE REMOVAL PROCESSES IN ION IMPLANTED, RAPIDLY ANNEALED GaAs
Jacobson, D.C. ; Pearton, S.J. ; Hull, R. ; Poate, J.M. ; Williams, J.S.
出版情報: Rapid thermal processing : symposium held December 2-4, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.361-368,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 52
3.

国際会議録
国際会議録
3. *TRANSIENT THERMAL PROCESSING OF GaAs
Pearton, S.J. ; Gibson, J.M. ; Jacobson, D.C. ; Poate, J.M. ; Williams, J.S. ; Boerma, D.O.
出版情報: Rapid thermal processing : symposium held December 2-4, 1985, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.351-360,  1985.  Pittsburgh, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 52