1.

国際会議録
国際会議録
1. Simultaneous Relaxation of Network and Defects in Silicon-Implanted a-Si:H
Nakata, J. ; Sherman, S. ; Wagner, S. ; Stolk, P. A. ; Poate, J. M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1995 : Symposium held April 18-21, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.173-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 377
2.

国際会議録
国際会議録
2. Recovery Kinetics of Phosphorous Ion-Implanted a-Si:H
Nakata, J. ; Wagner, S. ; Gleskova, H. ; Stolk, P. A. ; Poate, J. M.
出版情報: Amorphous silicon technology, 1996 : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.653-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 420
3.

国際会議録
国際会議録
3. UNDERSTANDING AND CONTROLLING TRANSIENT ENHANCED DOPANT DIFFUSION IN SILICON
Stolk, P. A. ; Gossmann, H.-J. ; Eaglesham, D. J. ; Jacobson, D. C. ; Luftman, H. S. ; Poate, J. M.
出版情報: Beam-solid interactions for materials synthesis and characterization : symposium held November 28-December 2, 1994, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.307-,  1995.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 354
4.

国際会議録
国際会議録
4. Properties of Point-Defects in Si for Process Modeling
Gossmann, H. J. ; Rafferty, C. S. ; Stolk, P. A. ; Eaglesham, D. J. ; Gilmer, G. H. ; Poate, J. M. ; Vuong, H.-H. ; Mogi, T. K. ; Thompson, M. O.
出版情報: Modeling and simulation of thin-film processing : symposium held April 17-20, 1995, San Francisco, California, U.S.A..  pp.3-,  1995.  Pittsburgh.  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 389