1.

国際会議録
国際会議録
1. BORON-ENHANCED-DIFFUSION OF BORON FROM ULTRA- LOW-ENERGY BORON IMPLANTATION
Agarwal, A. ; Eaglesham, D.J. ; Gossmann, H.-J. ; Pelaz, L. ; Herner, S.B. ; Jacobson, D.C. ; Haynes, T.E. ; Erokhin, Yu E.
出版情報: Silicon materials science and technology : proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology.  pp.1232-1240,  1998.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 98-1(2)
2.

国際会議録
国際会議録
2. DOSE, ENERGY AND ION SPECIES DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE PLUSFACTOR FOR TRANSIENT ENIJANCED DIFFUSION
Hobler, G. ; Pelaz, L. ; Raffhrty, C.S.
出版情報: Proceedings of the Fifth International Symposium of Process Physics and Modeling in Semiconductor Technology.  pp.75-86,  1999.  Pennington, New Jersey.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 99-2
3.

国際会議録
国際会議録
3. Atomistic Model of Transient-Enhanced Diffusion and Clustering of Boron in Silicon
Pelaz, L. ; Gilmer, G. H. ; Jaraiz, M. ; Gossmann, H-J. ; Rafferty, C. S. ; Eaglesham, D. J. ; Poate, J. M.
出版情報: Defects and diffusion in silicon processing : symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A..  pp.341-,  1997.  Pittsburg, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 469