1.

国際会議録
国際会議録
1. Seed Layer Free Ruthenium Precursor for MOCVD
N. Oshima ; T. Shibutami ; K. Kawano ; S. Yokoyama ; H. Funakubo
出版情報: Physicas and technology of high-k gate dielectrics : proceedings of the International Symposium on High Dielectric Constant Materials : Materials Science, Processing, and Reliability, and Manufacturing Issues.  pp.277-286,  2002.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-28
2.

国際会議録
国際会議録
2. A Novel Iridium Precursor for MOCVD
K. Kawano ; T. Furakawa ; M. Takamori ; K. Tada ; T. Yamakawa ; N. Oshima ; H. Fujisawa ; M. Shimizu
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.133-138,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Ruthenium and Ruthenium Oxide Films Deposition by MOCVD Using Ru(DMPD)₂
K. Kawano ; H. Kosuge ; N. Oshima ; H. Funakubo
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.139-144,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)