1.

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1. Analysis of HALO implant influence on the self-heating and self-heating enhanced impact ionization on 0.13 μm floating-body partially-depleted SOI MOSFET at low temperature
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Mercha, A. ; Clacys, C. ; van Meer, H. ; De Meyer, K.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.389-394,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
2.

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2. Impact of the graded-channel architecture on double gate transistors for high-performance analog applications
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Chung, T.M. ; Kranti, A. ; Raskin, J.-P. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.261-266,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
3.

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3. Simple Method to Extract the length Dependent Mobility Degradation Factor at 77 K
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.159-170,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
4.

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4. Modeling of the Leakage Drain Current in Accumulation-Mode SOI pMOSFETs for High-Temperature Applications
Bellodi, M. ; Iniguez, B. ; Flandre, D. ; Martino, J.A.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.233-238,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
5.

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5. High Performance Current-Mirrors Using Graded-Channel SOt NMOSFETs
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.319-324,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
6.

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6. A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in SOI MOSFETs
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A.
出版情報: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices.  pp.162-167,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-23
7.

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7. Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of SOI NMOSFETs for analog applications
Pavanello, M.A. ; Cerdeira, A. ; Aleman, M.A. ; Martino, J.A. ; Vancaillie, L. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.125-130,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
8.

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8. The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
Camillo, L.M. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.119-124,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
9.

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9. Implementation of high performance operational transconductance amplifiers using graded-channel SOI NMOSFETs
Gimenez, S.P. ; Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Flandre, D.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.69-74,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
10.

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10. Temperature Influence on the Generation Lifetime Determination Based on Drain Current Transients in Partially Depleted SOI nMOSFETs
Martino, J.A. ; Rafi, J.M. ; Mercha, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.346-356,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
11.

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11. Analysis on GC SOI MOSFET Analog Parameters at High Temperatores
Galeti, M. ; Pavanello, M.A. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.48-57,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
12.

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12. An Improved Current Model for Edgeless SOI MOSFETS
Giacomini, R. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.68-76,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
13.

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13. Comparison Between Conventional and Graded-Channel SOI nMOSFETs in Low Temperature Operation
Der Agopian, P.G. ; Pavanello, M.A. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.77-86,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
14.

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14. Analysis of the Capacitance vs. Voltage in Graded Channel SOI Capacitor
Sonnenberg, V. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.38-47,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
15.

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15. Study of Series Resistance and Effective Channel Length Behavior Comparing Graded-Channel and Conventional SOI nMOSFETs
de Almeida, G.F. ; Nicolett, A.S. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.58-67,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
16.

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16. The Lcakage Drain Current Behavior in Graded-Channel SOI nMOSFETs Operating up to 300℃
Bellodi, M. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.28-37,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
17.

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17. Determination of Silicon Film Doping Concentration and Back Oxide Charge Density using SOI-MOS Capacitor
Sonnenberg, V. ; Martino, J.A.
出版情報: Silicon-on-Insulator Technology and Devices X : proceedings of the tenth International Symposium.  pp.109-114,  2001.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-3
18.

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18. Analysis of deep submicrometer bulk and fully depleted SOI NMOSFET analog operation at cryogenic temperatures
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.289-294,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
19.

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19. The Influence of the Interface Trap Densities on the Extraction of the Silicon Film and Front Oxide Thickness of SOI NMOS Devices at Low Temperatures
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, F. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.28-34,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
20.

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20. Study of the leakage drain current In graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures
Bellodi, M. ; Martino, J.A.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.443-448,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
21.

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21. A Simple Analytical Model of Graded-Channel SOI nMOSFET Transconductance
Gimenez, S.P. ; Pavanello, M.A. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.45-54,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
22.

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22. A Physically-Based Continuous Model for Graded-Channel SOI MOSFET
Pavanello, M.A. ; Ifiiguez, B. ; Martino, J.A. ; Flandre, D.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.35-44,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
23.

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23. Comparison Between 0.13 μm Partially-Depleted Silicon-On-Insulator Technology with Floating Body Operation at 300 K and 90 K
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Mercha, A. ; Rafi, J.M. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; van Meer, H. ; De Meyer, K.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.205-212,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
24.

国際会議録
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24. Behavior of Graded-Channel Fully Depleted SOI NMOSFET at High Temperatures
Galeti, M. ; Pavanello, M.A. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.342-350,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
25.

国際会議録
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25. Analog Performance of Graded-Channel SOI NMOSFETS at Low Temperatures
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Flandre, D.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.20-27,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
26.

国際会議録
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26. Determination of the Silicon Film Doping Concentration and the Back Interface Oxide Charge Density using SOI-NMOS Gate Capacitor
Sonnenberg, V. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.2-11,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
27.

国際会議録
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27. The Leakage Current Composition in Thin Film SOI NMOSFETS at High Temperatures
Bellodi, M. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.12-19,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
28.

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28. A Study on the Self-Heating Effect in Deep-Submicrometer Partially Depleted SOI MOSFETs at Low Temperatures
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Mercha, A. ; Claeys, C. ; Dc Meyer, K.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.112-119,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
29.

国際会議録
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29. Detcrmination of the Silicon Film Thickness and Back Oxide Charge Density on Graded- Channel SOI oMOSFETs
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Pavanello, M.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.147-155,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
30.

国際会議録
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30. Influence of the Back Gate Voltage on the Total Series Resistance of Fully Depleted SOI MOSFETS at 300 K and 77 K
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.430-436,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
31.

国際会議録
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31. Difference Between Kink and Bipolar Parasitic Effects in Thin Film SOI MOSFET
Hoashi, P.T. ; Martino, J.A.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.420-429,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
32.

国際会議録
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32. Theoretical and Experimental Study of the Front and Back Interface Trap Density in Accumulation-Mode SOI MOSFETs
Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.271-277,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9
33.

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33. Combined ΔL and Series Resistance Extraction of LDD MOSFETs at 77 K
Schreutelkamp, R. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Deferm, L. ; Ciaeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.290-296,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9