1.

国際会議録
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1. Simple Method to Extract the length Dependent Mobility Degradation Factor at 77 K
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the fourth Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.159-170,  1997.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 97-2
2.

国際会議録
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2. The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
Camillo, L.M. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.119-124,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
3.

国際会議録
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3. Temperature Influence on the Generation Lifetime Determination Based on Drain Current Transients in Partially Depleted SOI nMOSFETs
Martino, J.A. ; Rafi, J.M. ; Mercha, A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: High purity silicon VIII : proceedings of the international symposium.  pp.346-356,  2004.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2004-05
4.

国際会議録
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4. Analysis of deep submicrometer bulk and fully depleted SOI NMOSFET analog operation at cryogenic temperatures
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XII : proceedings of the international symposium.  pp.289-294,  2005.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2005-03
5.

国際会議録
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5. The Influence of the Interface Trap Densities on the Extraction of the Silicon Film and Front Oxide Thickness of SOI NMOS Devices at Low Temperatures
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, F. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.28-34,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
6.

国際会議録
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6. Comparison Between 0.13 μm Partially-Depleted Silicon-On-Insulator Technology with Floating Body Operation at 300 K and 90 K
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Mercha, A. ; Rafi, J.M. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; van Meer, H. ; De Meyer, K.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.205-212,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
7.

国際会議録
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7. A Study on the Self-Heating Effect in Deep-Submicrometer Partially Depleted SOI MOSFETs at Low Temperatures
Pavanello, M.A. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Mercha, A. ; Claeys, C. ; Dc Meyer, K.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2003 : proceedings of the eighteenth international symposium.  pp.112-119,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-9
8.

国際会議録
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8. Influence of the Back Gate Voltage on the Total Series Resistance of Fully Depleted SOI MOSFETS at 300 K and 77 K
Nicolett, A.S. ; Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Microelectronics technology and devices : SBMICRO 2002 : proceedings of the seventeenth international symposium.  pp.430-436,  2002.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2002-8
9.

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9. Theoretical and Experimental Study of the Front and Back Interface Trap Density in Accumulation-Mode SOI MOSFETs
Martino, J.A. ; Simoen, E. ; Claeys, C.
出版情報: Proceedings of the Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity.  pp.271-277,  1995.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 95-9