1.

国際会議録
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1. Influence of Deposition Temperature of Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Films on Interfacial Chemical Structure and Interface Trap Density
J. Kim ; T. Park ; C. Hwang ; S. H. Hong ; M. Seo
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.419-424,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
2.

国際会議録
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2. Correlation Between High-K Properties and Interfacial Chemical Structure of ALD HhO2 Thin Films on Si, Sil-xGex and Ge Substrates
T. Park ; J. Kim ; J. Jang ; M. Seo ; C. Hwang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.111-120,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
3.

国際会議録
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3. The Improvement in Dielectric Characteristics and Reliability of Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Thin Films by In-Situ NH₃ Injection
J. Kim ; T. Park ; M. Cho ; M. Seo ; J. Jang ; C. Hwang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics 4.  pp.435-440,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(3)
4.

国際会議録
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4. Electrical and Structural Properties of High-K HfO₂ on Si₁₋x Gex Substrates
C. Hwang ; T. Park ; J. Kim ; S. H. Hong ; M. Seo ; J. H. Jang
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.3-8,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)
5.

国際会議録
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5. Crystallization and Wet Etching Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO₂ Films Using Hf[N(CH₃)(C₂H₅)]₃[OC(CH₃)₃]) Precursor and O₃ Oxidant
M. Seo ; S. Kim ; K. Kim ; T. Park ; J. Kim ; C. Hwang ; H. Cho
出版情報: Physics and technology of high-k gate dielectrics III.  pp.211-218,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 1(5)