1.

国際会議録
国際会議録
1. Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces
A. Sakai ; Y. Wakazono ; O. Nakatsuka ; S. Zaima ; M. Ogawa
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.1197-1203,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical Properties and Bonding Structures of Germanium Nitride/Ge(100) Structures Formed by Radical Nitridation
H. Kondo ; I. Yanagi ; M. Sakashita ; A. Sakai ; M. Ogawa
出版情報: SiGe and Ge, materials, processing, and devices.  pp.287-289,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(7)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Rare-Earth Metal Oxides and their Silicates/Aluminates as Future Gate Dielectric Films
A. Sakai ; M. Sakashita ; M. Ogawa ; S. Zaima
出版情報: Silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics 9.  pp.99-118,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(3)