1.

国際会議録
国際会議録
1. Evidence for a 'linear kink effect' in ultra-thin gate oxide SOI MOSFETs
Mercha, A. ; Simoen, E. ; Rafi, J.-M. ; Clacys, C. ; Lukyanchikova, N. ; Petrichuk, M. ; Garbar, N.
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices XI : proceedings of the international symposium.  pp.319-324,  2003.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-5
2.

国際会議録
国際会議録
2. Noise and Tunneling Through the 2.5 nm Gate Oxide in SOI MOSFETs
Lukyanchikova, N. ; Simoen, E. ; Mercha, A. ; Claeys, C.
出版情報: Advanced experimental methods for noise research in nanoscale electronic devices.  pp.129-136,  2004.  Dordrecht.  Kluwer Academic Publishers
シリーズ名: NATO science series. Series 2, Mathematics, physics and chemistry
シリーズ巻号: 151