1.

国際会議録
国際会議録
1. Ultrathin (EOT < 7A) Ta2O5 Gate Stacks Prepared by an In-Situ RT-MOCVD Process
Lee, S.J. ; Luan, H.F. ; Lee, C.H ; Senzoki, Y ; Roberts, D. ; Kwong, D.-L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies : proceedings of the international symposium.  pp.263-270,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-9
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical and Chemical Properties of Ultrathin RT-MOCVD Grown Ti-Doped Ta2O5
Lee, S.J. ; Luan, H.F. ; Mao, A. ; Jeon, T.S. ; Lee, C.H. ; Vrtis, R. ; Roberts, D. ; Kwong, D.-L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies : proceedings of the international symposium.  pp.283-290,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-9
3.

国際会議録
国際会議録
3. Characteristics of Ultra Thin (EOT<1 nm) RTCVD Zr Silicate (Zr 27Si 10O 63) Gate Dielectrics
Lee, C.H. ; Luan, H.F ; Bat, W.P. ; Lee, S.J. ; Jean, T.S. ; Roberts, D. ; Kwong, D.L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.205-210,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9