1.

国際会議録
国際会議録
1. Ultrathin (EOT < 7A) Ta2O5 Gate Stacks Prepared by an In-Situ RT-MOCVD Process
Lee, S.J. ; Luan, H.F. ; Lee, C.H ; Senzoki, Y ; Roberts, D. ; Kwong, D.-L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies : proceedings of the international symposium.  pp.263-270,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-9
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electrical and Chemical Properties of Ultrathin RT-MOCVD Grown Ti-Doped Ta2O5
Lee, S.J. ; Luan, H.F. ; Mao, A. ; Jeon, T.S. ; Lee, C.H. ; Vrtis, R. ; Roberts, D. ; Kwong, D.-L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies : proceedings of the international symposium.  pp.283-290,  2000.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2000-9
3.

国際会議録
国際会議録
3. Device Fabrication and Evaluation of Alternative High-K Dielectrics and Gate Electrodes Using a Non-Self Aligned Gate process
Kim, I. ; Han, S.K. ; Kiether, W. ; Lee, S.J. ; Lee, C.H. ; Luan, H.F. ; Luo, Z. ; Rying, E. ; Wicaksana, Z.Wang D. ; Zhu, W. ; Hauser, J. ; Kiingon, A. ; Kwang, D.L. ; Ma, T.P. ; Maria, J.P. ; Misra, V. ; Osburn, C.M.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.211-220,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9
4.

国際会議録
国際会議録
4. High Quality Ultra Thin HfO 2 Gate Stack Prepared by In-Situ RT-MOCVD Process
Lee, S.J. ; Luan, H.F. ; Bai, W.P. ; Lee, C.H. ; Clark, B. ; Rabents, D. ; Myers, L. ; Kwang, D.L.
出版情報: Rapid thermal and other short-time processing technologies II : proceedings of the international symposium.  pp.231-238,  2001.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2001-9