1.

国際会議録
国際会議録
1. High Efficiency UV-Emission at 345 nm from InAlGaN Light-Emitting Diodes
Kinoshita, A. ; Hirayama, H. ; Ainoya, M. ; Yamabi, T. ; Hirata, A. ; Aoyagi, Y.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.87-92,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
2.

国際会議録
国際会議録
2. High Efficiency UV-Emission at 345 nm from InAlGaN Light-Emitting Diodes
Kinoshita, A. ; Hirayama, H. ; Ainoya, M. ; Yamabi, T. ; Hirata, A. ; Aoyagi, Y.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.671-676,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693
3.

国際会議録
国際会議録
3. Investigation of the Optimum Growth Conditions of Wide-Bandgap Quaternary InAlGaN for UV-LEDs
Yamabi, T. ; Kinoshita, A. ; Hirayama, H. ; Ainoya, M. ; Hirata, A. ; Araki, T. ; Nanishi, Y. ; Aoyagi, Y.
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.201-206,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693