1.

国際会議録
国際会議録
1. Highly chemical reactive ion etching of gallium nitride
Karouta, F. ; Jacobs, B. ; Moerman, I. ; Jacobs, K. ; Weyher, J. L. ; Porowski, S. ; Crane, R. ; Hageman, P. R.
出版情報: GaN and related alloys - 1999 : symposium held November 28-December 3, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.W11.76.1-,  2000.  Warrendale, Pa..  MRS-Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 595
2.

国際会議録
国際会議録
2. Passive Components on AlN for Application in AlGaN/GaN Power Amplifiers
Jacobs, B. ; Straaten, B. van ; Kramer, M. ; Karouta, F. ; Hek, P. De ; Suijker, E. ; Dijk, R. Van
出版情報: GaN and related alloys - 2001 : symposium held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A..  pp.629-634,  2002.  Warrendale, Pa..  Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 693