1.

国際会議録
国際会議録
1. A Novel Method for Studying Degradation Related to Plasma Processing of Silicon Wafers
Lagowski, J. ; Hoff, A. ; Jastrzebski, L. ; Edelman, P. ; Esry, T.
出版情報: Materials reliability in microelectronics VI : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.437-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 428
2.

国際会議録
国際会議録
2. A New, Real-Time Method for Measuring Mobile Charge and Injected Charge in SiO2 on Si
Edelman, P. ; Lagowski, J. ; Savchouk, A. ; Hoff, A. ; Jastrzebski, L. ; Persson, E.
出版情報: Materials reliability in microelectronics VI : symposium held April 8-12, 1996, San Francisco, California, U.S.A..  pp.443-,  1996.  Pittsburgh, Pa..  MRS - Materials Research Society
シリーズ名: Materials Research Society symposium proceedings
シリーズ巻号: 428
3.

国際会議録
国際会議録
3. Whole-Wafer Plasma Damage Evaluation
Hoff, A.M. ; Lagowski, J. ; Nauka, N. ; Esry, T.C. ; Edelman, P. ; Jastrzebski, L.
出版情報: Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon.  pp.544-553,  1996.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 96-13