1.

国際会議録
国際会議録
1. Impact of Halo Implantation on the Lifetime Assessment in Partially Depleted SOI Transistors
M. Galeti ; J. A. Martino ; E. R. Simoen ; C. L. Claeys
出版情報: High purity silicon 9.  pp.351-360,  2006.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 3(4)
2.

国際会議録
国際会議録
2. Sidewall Angle Influence on the FinFET Analog Parameters
R. Giacomini ; J. A. Martino ; M. A. Pavanello
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.37-46,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
3.

国際会議録
国際会議録
3. Triple Gate FinFET Parameter Extraction Using High Frequency Capacitance - Voltage Curves
M. Rodrigues ; V. Sonnenberg ; J. A. Martino
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.9-18,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
4.

国際会議録
国際会議録
4. Low Temperature Operation of Undoped Body Triple-Gate FinFETs from an Analog Perspective
M. A. Pavanello ; J. A. Martino ; E. Simoen ; R. Rooyackers ; N. Collaert ; C. Claeys
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.19-28,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
5.

国際会議録
国際会議録
5. Influence of the N-Type FinFET Width on the Zero Temperature Coefficient
M. Bellodi ; J. A. Martino ; L. M. Camiio ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.29-36,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
6.

国際会議録
国際会議録
6. Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Short Channel SOI nMOSFETs
M. Galeti ; J. A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.387-392,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
7.

国際会議録
国際会議録
7. Non-Vertical Sidewall Angle Influence on Triple-Gate FinFETs Corner Effects
R. Giacomini ; J. A. Martino
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.381-386,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
8.

国際会議録
国際会議録
8. Temperature Influences on FinFETs with Undoped Body
M. A. Pavanello ; J. A. Martino ; E. Simoen ; R. Rocyackers ; N. Collaert ; C. Claeys
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.211-216,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
9.

国際会議録
国際会議録
9. Simple Analytical Model to Study the ZTC Bias Point in FinFETs
M. Bellodi ; L. Camillo ; J. A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.205-210,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
10.

国際会議録
国際会議録
10. The "C" Shape Behavior of the Floating Body Effect in Function of Temperature in PD SOI nMOSFETs
P. G. Agopian ; J. A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Silicon-on-insulator technology and devices 13.  pp.107-112,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 6(4)
11.

国際会議録
国際会議録
11. Operation of Double Gate Graded-Channel Transistors at Low Temperatures
M. A. Pavanello ; J. A. Martino ; T. M. Chung ; A. Kranti ; J.-P. Raskin ; D. Flandre
出版情報: Low temperature electronics and low temperature cofired ceramic based electronic devices : proceedings of the seventh International Symposium on Low Temperature Electronics and the International Symposium on Low Temperature Cofired CeramicBbased Electronic Devices.  pp.50-60,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-27
12.

国際会議録
国際会議録
12. HALO Effects on 0.13 μm Floating-Body Partially Depleted SOI n-MOSFETs iII Low Temperature Operation
J. A. Martino ; M. A. Pavanello ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Low temperature electronics and low temperature cofired ceramic based electronic devices : proceedings of the seventh International Symposium on Low Temperature Electronics and the International Symposium on Low Temperature Cofired CeramicBbased Electronic Devices.  pp.3-15,  2003.  Pennington, NJ.  Electrochemical Society
シリーズ名: Electrochemical Society Proceedings Series
シリーズ巻号: 2003-27
13.

国際会議録
国際会議録
13. Physical Characterization and Reliability Aspects of MuGFETs
C. Claeys ; E. Simoen ; J. M. Rafi ; M. A. Pavanello ; J. A. Martino
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.281-294,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
14.

国際会議録
国際会議録
14. The Impact of the Gate Oxide Thickness Reduction on the Gate Induced Floating Body Effect in SOI nMOSFETs
P. G. DerAgopian ; J. A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.305-312,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)
15.

国際会議録
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15. Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Double Gate SOI nMOSFETs
M. Galeti ; J. A. Martino ; E. Simoen ; C. Claeys
出版情報: Microelectronics Technology and Devices : SBMICRO 2007.  pp.343-352,  2007.  Pennington, N.J..  Electrochemical Society
シリーズ名: ECS transactions
シリーズ巻号: 9(1)