1.

国際会議録
国際会議録
1. Charge Induced in 6H-SiC PN Diodes by Irradiation of Oxygen Ion Microbeams
Ohshima, T. ; Satoh, T. ; Oikawa, M. ; Onoda, S. ; Hirao, T. ; Itoh, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1347-1350,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Electron Paramagnetic Resonance Study of the HEI4/SI5 Center in 4E-SiC
Umeda, T. ; Son, N.T. ; Isoya, J. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Itoh, H. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.543-546,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Divacancy Model for P6/P7 Centers in 4H- and 6H-SiC
Son, N.T. ; Umeda, T. ; Isoya, J. ; Gali, A. ; Bockstedte, M. ; Magnusson, B. ; Ellison, A. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Itoh, H. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.527-530,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
4.

国際会議録
国際会議録
4. Shallow P Donors in 3C-, 4H- and 6H-SiC
Isoya, J. ; Katagiri, M. ; Umeda, T. ; Son, N.T. ; Henry, A. ; Gali, A. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Itoh, H. ; Janzen, E.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.593-596,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
5.

国際会議録
国際会議録
5. Post-Implantation Annealing Effects on the Surface Morphology and Electrical Characteristics of 6H-SiC Implanted with Aluminum
Ohi, A. ; Ohshima, T. ; Yoshikawa, M. ; Lee, K. K. ; Iwami, M. ; Itoh, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.831-834,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
6.

国際会議録
国際会議録
6. Gamma-Ray Irradiation Effects on the Electrical Characteristics of 6H-SiC MOSFETs with Annealed Gate-Oxide
Ohshima, T. ; Lee, K.K. ; Ohi, A. ; Yoshikawa, M. ; Itoh, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1093-1096,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
7.

国際会議録
国際会議録
7. Radiation Response of p-Channel 6H-SiC MOSFETs Fabricated Using Pyrogenic Conditions
Lee, K.K. ; Ohshima, T. ; Itoh, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1097-1100,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
8.

国際会議録
国際会議録
8. Effects of Successive Annealing of Oxides on Electrical Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Structures
Yoshikawa, M. ; Satoh, M. ; Ohshima, T. ; Itoh, H.
出版情報: Silicon carbide and related materials 2001 : ICSCRM2001, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001, Tsukuba, Japan, October 28-November 2, 2001.  pp.1009-1012,  2002.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 389-393
9.

国際会議録
国際会議録
9. Steam Annealing Effects on CV Characteristics of MOS Structures on (11-20) Face of 4H-SiC
Yoshikawa, M. ; Ohshima, T. ; Itoh, H. ; Takahashi, K. ; Kitabatake, M.
出版情報: Silicon carbide and related materials : ECSCRM2000, proceedings of the 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Kloster Banz, Germany, September 2000.  pp.635-638,  2001.  Uetikon-Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 353-356
10.

国際会議録
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10. Influence of Post-Oxidation Annealing on Electrical Characteristics in 6H-SiC MOSFETs
Ohshima, T. ; Yoshikawa, M. ; Itoh, H. ; Kojima, K. ; Okada, S. ; Nashiyama, I.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 1999 : ICSCRM'99, proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999.  pp.1299-1302,  2000.  Zuerich, Switzerland.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 338-342(2)