1.

国際会議録
国際会議録
1. High-Temperature (up to 800 K) Operation of 6-kV 4F-SiC Junction Diodes
Levinshtein, M.E. ; Ivanov, P.A. ; Boltovets, M.S. ; Krivutsa, V.A. ; Palmour, J.W. ; Das, M.K. ; Hull, B.A.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1339-1342,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
2.

国際会議録
国際会議録
2. Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce Vf Drift in SiC Bipolar Power Devices
Sumakeris, J.J. ; Bergman, J.P. ; Das, M.K. ; Hallin, C. ; Hull, B.A. ; Janzen, E. ; Lendenmann, H. ; O'Loughlin, M.J. ; Paisley, M.J. ; Ha, S. ; Skowronski, M. ; Palmour, J.W. ; Carter, C.H.,Jr
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.141-146,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529
3.

国際会議録
国際会議録
3. Development of 8 mΩ-cm2, 1.8 kV 4H-SiC DMOSFETs
Ryu, S.H. ; Krishnaswami, S. ; Hull, B.A. ; Heath, B. ; Das, M.K. ; Richmond, J.T. ; Agarwal, A.K. ; Palmour, J.W. ; Scofield, J.D.
出版情報: Silicon carbide and related materials - 2005 : proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 2005 : Pittsburgh, Pennsylvania, USA : September 18-23 2005.  pp.1261-1264,  2006.  Stafa-Zuerich.  Trans Tech Publications
シリーズ名: Materials science forum
シリーズ巻号: 527-529